Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
Emettitore
(GeP)
Collettore
(GeP)
supporto in
plexiglass
Base (GeN)
1948: nei Bell Labs
Schockley, Brattain e
Bardeen inventano il
transistor
C
E
B
Ie
Ib
Ic
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1 - substrato N+
2 - crescita epitassiale N=
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1 - substrato N+
2 - crescita epitassiale N=
3 - ossidazione superficiale
4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1 - substrato N+
2 - crescita epitassiale N=
3 - ossidazione superficiale
4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido
5 - diffusione P di Boro per la Base
diffusione di Base P
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
6 - ossidazione superficiale
7 - attacco acido selettivo
8 - diffusione N+ di Emettitore
diffusione N+ di Em.
diffusione di Base P
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
9 - ossidazione superficiale
10 - attacco acido selettivo
diffusione N+ di Em.
diffusione di Base P
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
9 - ossidazione superficiale
10 - attacco acido selettivo
11 - metallizzazione superficiale
12 - attacco acido selettivo
diffusione N+ di Em.
diffusione di Base P
strato epitassiale N =
substrato N+
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
9 - ossidazione superficiale
10 - attacco acido selettivo
11 - metallizzazione superficiale
12 - attacco acido selettivo
E
diffusione N+ di Em.
diffusione di Base P
strato epitassiale N =
E
B
substrato N+
COLLETTORE
B
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
13 - separazione dei chip
14 - saldatura nel package
15 - saldatura dei contatti
Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
struttura
interdigitata