Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P
2 - crescita epitassiale N-
strato epitassiale di tipo N -
substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P
2 - crescita epitassiale N3 - ossidazione superficiale
4 - mascheratura, attacco acido
strato epitassiale di tipo N -
substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P
2 - crescita epitassiale N3 - ossidazione superficiale
4 - mascheratura, attacco acido
5 - diffusione P+ di isolamento
P+
P+
strato epitassiale di tipo N -
substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P
2 - crescita epitassiale N3 - ossidazione superficiale
4 - mascheratura, esposizione ai raggi UV, sviluppo, attacco acido
5 - diffusione P+ di isolamento
6 - ossidazione, mascheratura, attacco acido
7 - diffusione P di Base
P+
P+
diffusione di Base
strato epitassiale di tipo N -
substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido
9 - diffusione N+ di Emettitore
P+
diffusione N+ di Em.
diffusione P di Base
strato epitassiale di tipo N -
substrato di tipo P
N+
P+
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido
9 - diffusione N+ di Emettitore
10 - ossidazione, mascheratura, attacco acido
P+
diffusione N+ di Em.
diffusione P di Base
strato epitassiale di tipo N -
substrato di tipo P
N+
P+
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido
9 - diffusione N+ di Emettitore
10 - ossidazione, mascheratura, attacco acido
11 - metallizzazione superficiale con Alluminio
12 - mascheratura, attacco acido
P+
alluminio
diffusione N+ di Em.
diffusione P di Base
strato epitassiale di tipo N -
substrato di tipo P
N+
P+
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
13 - contatti di Base, Collettore ed Emettitore
Lo strato sepolto va realizzato prima della crescita epitassiale
B
P+
E
C
Emettitore N+
Base P
N+
sinker
strato epi Nstrato sepolto di tipo N+
substrato P
Gnd, Vss, -Vcc
P+