Roberta Nipoti
Richieste di finanziamento in corso
PRIN 2008
SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN 4H-SiC:
DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA
Sottomesso 16feb2009
Valutazione entro fine anno?
ERC – Advanced Grants
A NOVEL ULTRA-FAST MICROWAVE PROCESSING FOR MAKING HIGH
PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICES (UMFP)
Sottomesso 25mar2009
Valutazione entro fine anno
Italia-Brasile 2008-2010
SVILUPPO DEL MATERIALE DIELETTRICO SiO2 PER UN POTENZIALE USO IN
UNA MICRO-ELETTRONICA E NANO-ELETTRONICA A BASE DI SiC
Sottomesso 30lug2008
Valutazione 15mag2009
PRIN 2008
SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN
4H-SiC: DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA
PRIN 2008
SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN
4H-SiC: DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA
UNIPOLAR
BIPOLAR
PRIN 2008
Attività IMM-Bologna
• massimizzare attivazione elettrica imp. ionico
per
P+
1020 cm-2
Al+ 1020 cm-2
• valutare la concentrazione di portatori rispetto
alla concentrazione di drogante sostituzionale
(Scaburri)
• simulare il profilo 2D del drogante impiantato
a bordo maschera (Lulli)
• disegnare maschere BMFET (Moscatelli)
• fabbricare i dispositivi BMFET
• caratterizare i dipositivi su wafer (Moscatelli)
2 anni di attività
Costo IMM-Bo 142 k€ chiesti 95 k€
Gli altri partecipanti al progetto:
Università di Salerno, Prof. Salvatore Bellone (coordinatore)
Università Mediterranea di Reggio Calabria, Prof. Francesco Della Corte
ERC – Advanced Grants
A NOVEL ULTRA-FAST MICROWAVE
PROCESSING FOR MAKING HIGH PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICES
(UMFP)
Al+
Attività:
impiantato in 4H-SiC
Studiare l’attivazione elettrica e
la ricostruzione del danno
reticolare in funzione della
concentrazione d’impianto per
droganti sia di tipo p che di tipo n
nei seguenti semiconduttori:
SiC, GaN, ZnO e Si
Per alcuni materiali fabbricare
dispositivi che dimostrino i
vantaggi dell’UFMP rispetto a
trattamenti termici convenzionali:
Diodi su SiC, GaN
BMFET su SiC
4 anni di attività
costo del progetto 1294 k€
Grant al PI
contributo richiesto 782 k€
Host Institution IMM-Bo
Italia-Brasile 2008-2010
SVILUPPO DEL MATERIALE DIELETTRICO SiO2
PER UN POTENZIALE USO IN UNA MICRO-ELETTRONICA E NANO-ELETTRONICA A
BASE DI SiC
SiO2
N15
Dit
O18
N15
SiC
Partner : Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto
Alegre, Prof.ssa Fernanda Chiarello Stedile
3 anni di attività
Finanziate 2 visite per anno e per laboratorio