Surface Enhanced Raman Scattering: mechanism and applications Barbara Fazio CNR - Istituto Processi Chimico Fisici (sez. Messina) Raman scattering MONOCHROMATIC 99.99% RADIATION TRANSPARENT DUST-FREE SOLID, LIQUID or GAS L'intensità della luce diffusa è tipicamente 10-3-10-5 dell'intensità incidente per lo scattering elastico, 10-7-10-10 per lo scattering anelastico. Lo spettro risulta caratteristico delle molecole investite dalla radiazione. Effetto SERS Scoperto da: Fleischman et al., Chem Phys Lett, 26 (1974), p. 123 Interpretato da: Jeanmaire DL and Duyne RPV, J. Electroanal. Chem, 84 (1977), p.1 Albrecht MG, Creighton JA, J. Am. Chem Soc., 99 (1977), p. 5215 I0 IS ISERS TERS SEHRS SERRS UV-SERS SMRS (Nie S. and Emory S.R., Science, 275 (1997),p 1102; Kneipp K. Et al PRL, 78 (1997), p.1667) Enhancement elettromagnetico Consideriamo delle sferette metalliche con dimensioni più piccole della lunghezza d’onda della radiazione elettromagnetica incidente Se le sferette metalliche sono “abbastanza” piccole, la radiazione incidente può indurre eccitazioni plasmoniche dipolari radiative coerenti con il campo eccitante ES gE0 ER R ES R gE0 ESERS R gg E0 I SERS α R gg I 0 2 2 1 R 2 3 dove Polarizzabilità di una piccola sfera metallica p2 b 1 2 i è il rate di scattering elettronico (inversamente proporzionale al libero cammino medio degli elettroni) R 3 b 2 i p i b 2 3 p b 2 2 Frequenza di risonanza plasmonica della particella b 3 R p b 3 SERS da insiemi di particelle interagenti + ++ ++ + ------ + ++ ++ + ------ Enhancement di natura elettrostatica E M 1 d + + ++ + + + d + ++ ++ + E - - - - -- ( Ri R j ) ------ Nessun enhancement nel gap Enhancement chimico (elettronico) Energy Meccanismi di risonanza Raman da nuovi stati elettronici intermedi delle molecole chemisorbite, indotti da processi di trsferimento di carica tra il metallo e le molecole. I meccanismi di trasferimento di carica possono contribuire all’enhancement con un fattore pari massimo a 10 2 SERS di “metilene blu” da nanostrutture di Argento CNR-IPCF : B. Fazio, P. Gucciardi, O. Maragò, F. Bonaccorso Dipartimento di fisica Università di Genova: F. Buatier de Mongeot 1.0µm AFM topography 5 x 5 m2 Il substrato di Ag ripples è stato immerso in soluzione di blu di metilene ed acqua (concentrazione in moli/litro = 3.343*10-4 M) per 10 minuti e poi lasciato asciugare per 3 giorni in posizione verticale. 1 2 3 tipologia 1 tipologia 2 tipologia 3 2000 1800 MB su vetro: nessun segnale Raman MB depositato su vetro misura effettuata sulle tre tipologie di macchie di metilene blu Counts 1600 1400 1200 1000 800 600 200 300 400 500 600 700 800 Raman shift (cm-1) 40000 tipologia 2; obiettivo 50X, 30", 2 acc. 35000 Intensity (arb. units) Monolayer di MB adsorbito su substrato di Ag strutturato: SERS !!!!! 30000 25000 20000 15000 10000 5000 400 600 800 1000 1200 1400 -1 Raman shift (cm ) 1600 1800 2000 Chemisorbimento MB Ag S S S S S glass Monolayer di MB adsorbito su Ag nanostrutturato 40000 tipologia 2; obiettivo 50X, 30", 2 acc. 30000 MB bulk nasym(CN) 30000 25000 Intensity (arb units) Intensity (arb. units) 35000 25000 20000 15000 20000 15000 10000 10000 5000 400 600 800 1000 1200 1400 -1 Raman shift (cm ) 1600 1800 2000 0 500 1000 1500 2000 2500 -1 Raman shift (cm ) SERS enhancement di modi vibrazionali osservati in letteratura per MB legato a superfici sulfurizzate (R. Naujok, Langmuir 9, (1993), p.1771) Effetto SERS vs polarizzazione incidente parallela ed ortogonale ai nanoripples 24000 zona nanorods di Ag 22000 obiettivo 10X, t=15", 2 acc. Intensity (ar. units) 20000 18000 16000 14000 E I ripples 12000 90° 10000 8000 E // ripples 6000 0° 4000 200 300 400 500 600 -1 Raman shift (cm ) 700 800 • Excitation: HeNe 633 nm, Obiettivo 10X, Potenza focalizzata su campione 5 mWatt •La polarizzazione del fascio laser incidente rispetto ai ripples viene ruotata ruotando il campione di 90°. Effetto SERS vs polarizzazione incidente in assenza di nanoripples 24000 22000 910nm zona nanostrutture (?) di Ag 20000 m2 Intensity (ar. units) Shear Force top. 5 x 5 obiettivo 10X, t=15", 2 acc. 18000 16000 14000 12000 10000 8000 90° 6000 0° 4000 200 300 400 500 600 -1 Raman shift (cm ) 700 800 Eccitazione polarizzata (parallela ed ortogonale ai ripples) Analisi in polarizzazione del segnale diffuso Raman (pol. parallela ed ortogonale ai ripples) Eecc | ripples Eecc // ripples VV (V ortg ai rods) VH rescaled (V ortog rods) 10X, time 15" 5000 HH rescaled (V ortog rods) zona centrale del campione HV (V ortg ai rods) 10X, time 15" 4500 2008 1500 4000 216 195 Intensity (arb. units) Intensity (arb. units) 1400 3500 1000 2000 900 1500 800 1000 700 500 1300 1200 1100 pol. verticale ortogonale ai rods 210 1340 1154 3000 zona centrale del campione 2500 257 pol. verticale ortogonale ai rods 200 200 200 213 200 400 400 600 172 600 800 169 800 1000 1000 1200 1200 1400 -1 Raman shift (cm ) 1400 1600 1600 1800 1800 -1 Raman shift (cm ) Eccitando con polarizzazione ortogonale ai ripples, l’emissione sembra essere fortemente polarizzata (~ 10:1) + ++ ++ + ------ + ++ ++ + ------ E Conclusioni d E La polarizzazione ortogonale ai ripples fa si che si abbia ulteriore “enhancement” per le molecole disposte lungo gli interstizi -------------------------- ++++++++++++++++ Solo l’emissione Raman polarizzata ortogonalmente ai ripples è soggetta ad ulteriore “enhancement”