PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
IG03 - ELENCO MACCHINE
Premessa:
La presente lista indica la tipologia e la quantità di macchinari che si intende prevedere nelle camere bianche.
Detti macchinari potranno essere installati in tempi diversi rispetto alla costruzione della Clean Room.
Tranne che i macchinari indicati come "esistenti", il riferimento alla marca e articolo e' da ritenersi indicativo.
Pertanto gli impianti e le predisposizioni da prevedere debbono essere compatibili e coerenti con la presente lista.
------1 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
IG03 - ELENCO MACCHINE
------2 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
6
descrizione
Costruttore/modello di riferimento
-M1a
-M1b
+1
-M2a
Note
+1
+1
-M2b
-M3
+1
+1
-M4
-M5
-M6
Lapping e polishing
Sega per semiconduttori
Macchina per microsaldature (Wire/wedge/ball bonder) TPT HB16
+1
-M7
Sistema di fissaggio dei substrati (Die attach system)
+1
-M8
Saldatrice (Solder reflow system)
+1
-M9
-M10
Sistema di connettorizzazione e allineamento a laser
(Fiber pigtail laser welding system)
Microscopio elettronico
-M11
Evaporatore 1 (Electron beam evaporator 1)
-M12
10
11
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Cappa
2
+2
9
Loomis scriber
+1
+2
8
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
estrazione aria
[mc/h]
5
calore disperso in
ambiente [kW]
4
Modalità
collegamento
elettrico
3
tensione | fasi
alimentazione
2
In portezione
Minima [A]
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
Macchina per incisione e taglio (Scribing and cleaving
tool)
Flip-chip bonder (saldatore per chip)
Finetech Finplacer Lambda
Sistema di deposizione Sputter
Denton sputter deposition
(Desk series)
Evaporatore 2 (Electron beam evaporator 2)
400V | 3P+N+T DIR
2
0,5
230V | 2P+T
230V | 2P+T
S
S
1,6
230V | 2P+T
CEE
2
1000
0,5
0,5
5
0,5
2
230V | 2P+T
S
0,5
4
400V | 3P+N+T CEE
0,5
2
230V | 2P+T
0,5
ATV Technologie SRO
4
0,5
S
400V | 3P+N+T CEE
230V | 2P+T
S
0,5
Temescal FC/BJD-2800
30
400V | 3P+N+T
125 400V | 3P+N+T DIR
5
50
30
400V | 3P+N+T
125 400V | 3P+N+T DIR
5
50
Temescal FC/BJD-2000
------3 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
14
13
Facilities
Locale
Id Macchina
Gas tecnici
+1
-M1a
-M1b
+1
-M2a
+1
+1
-M2b
-M3
+1
+1
-M4
-M5
-M6
+1
-M7
+1
-M8
+1
-M9
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
Denominaz. | purezza | pressione | portata
N2
| 3.0 | 3 atm | 5 l/1'
Ac
N2
Ar
Ac
|
|
|
|
3.0
5.0
-
|
|
|
|
Larghezza massima 1200,strumenti all'interno
da tavolo
da tavolo
4,5 atm| 2 l/1'
3 atm | 5 l/1'
3 atm | 5 l/1'
6 atm | 5 l/1'
H2O
Ac
N2
Ac
N2
Ac
|
|
|
|
|
3.0
5.0
-
|
|
|
|
|
VG
| -
|
Ac
Ar
He
N2
O2
Ac
Ar
He
N2
O2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6
3
6
3
6
atm
atm
atm
atm
atm
-
|
|
|
|
|
5
5
5
5
5
| 2 atm | 6 l/1' | -
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
da tavolo
| 5 l/1'
da tavolo
da tavolo
da tavolo
-M10
+2
+2
-M11
-M12
5.0
5.0
3.0
5.0
5.0
5.0
3.0
5.0
7
3
3
7
3
7
3
3
7
3
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
note
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 l/1'
50 sccm
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
RNC
RIS
| 3 atm | 30 l/1' | 15°
| 3 atm | 20 l/1' | 60°
RNC
RIS
| 3 atm | 25 l/1' | 15°
| 3 atm | 10 l/1' | 60°
------4 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
6
+2
-M13
descrizione
Evaporatore 3 (Electron beam evaporator 3)
8
9
Costruttore/modello di riferimento
Note
10
11
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
estrazione aria
[mc/h]
5
calore disperso in
ambiente [kW]
4
Modalità
collegamento
elettrico
3
tensione | fasi
alimentazione
2
In portezione
Minima [A]
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
Temescal FC/BJD-2000
+2
-M14
Sistema per la tempratura termica (Rapid thermal
annealing system):
Anealsys - as-One
+2
-M15
Plasma activation system per il wafer bonder
EVG 810LT
+2
-M16
Wafer bonding system
SUSS SB6L
30
400V | 3P+N+T
125 400V | 3P+N+T DIR
5
50
35
100 400V | 3P+N+T DIR
5
50
2,5
+3
-WJ (-M17)
WJ-BPTEOS Chemical Vapour Deposition
Aviza WJ-TEOS 999
Esistente
+9
+9
+9
+3
=WJ-OZ
=WJ-CS
=WJ-a
-CA1
Ozonatore per -WJ (collegato con -WJ)
Abbattitore per -WJ,
Abbattitore per -WJ,
Cappa
Accessorio di WJ
CLEANLINE CL450 DFA
Esistente
Esistente
Esistente
Esistente
Robotank
DIR
0,5
20
400V | 3P+N+T DIR
0,5
23
400V | 3P+N+T DIR
collegato a -WJ
16 400V | 3P+N+T DIR
collegato a -WJ
3
2,5
2,5
------5 ------
32 230V | 2P+T
16 400V | 3P+N+T DIR
0,5
1800
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
14
13
Facilities
Id Macchina
Locale
+2
-M13
+2
-M14
+2
-M15
+2
-M16
+3
-WJ (-M17)
+9
+9
+9
+3
Gas tecnici
=WJ-OZ
=WJ-CS
=WJ-a
-CA1
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
Denominaz. | purezza | pressione | portata
Ac
Ar
He
N2
O2
Ac
Ar
H2N2
He
N2
O2
Ac
Ar
N2
O2
VG
Ac
Ar
N2
O2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5.0
5.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7
3
3
7
3
6
2
2
2
2
2
6
3
7
3
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 l/1'
50 sccm
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
5 l/1'
50 sccm
5 l/1'
5 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
6
3
7
3
Ac
Ar
N2
N2
N2O
O2
|
|
|
|
|
|
5.0
6.0
3.0
5.0
5.0
|
|
|
|
|
|
6
3
9
9
3
1
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
500 l/1'
50 sccm
600 l/1'
500 l/1'
50 sccm
60 l/1'
N2
| 3.0 | 6 atm | 60 l/1'
Ac
N2
| | 6 atm | 5 l/1'
| 3.0 | 3 atm | 5 l/1'
-
RNC
RIS
note
| 3 atm | 25 l/1' | 15°
| 3 atm | 10 l/1' | 60°
RAFF | 3 atm | 12 l/1' | 10°
RNC | 5 atm | 40 l/1' | 15°
UPW1| 2,5atm| 7 l/1' |
Scarichi speciali
H2O
PW2
Scarichi speciali
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
------6 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
6
descrizione
Costruttore/modello di riferimento
Chemitronic Chemiair
Note
+3
=CA1-sc
Scrubber
+3
-LAV
Lavatrice
+3
-FO (-M18)
Forno orizzontale SEMCO: Chemical Vapour
Deposition a bassa pressione
Semco DF 550
Esistente
+9
+3
=FO-PV
-FV1 (-M19)
Pompa vuoto
Forno verticale AVIZA
Boc EDWARDS iqdp80/iqmb250
Thermco System 7000 VTR
Esistente
Esistente
+9
+3
=FV-PV
-PECVD
(-M20)
Pompa vuoto
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
(PECVD)
Boc EDWARDS IH 1000
STS Multiplex
Esistente
Esistente
Boc Edwards M150
Esistente
=PECVD-GRC Gas Reactor column
8
9
10
11
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
estrazione aria
[mc/h]
5
calore disperso in
ambiente [kW]
4
Modalità
collegamento
elettrico
3
tensione | fasi
alimentazione
2
In portezione
Minima [A]
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
Esistente
1,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1,5
16 400V | 3P+N+T S
15
8
50 400V | 3P+N+T DIR
32 400V | 3P+N+T DIR
5
0,5
15
6,5
50 400V | 3P+N+T DIR
20 400V | 3P+N+T DIR
5
0,5
10
40 400V | 3P+N+T DIR
2
1
16 400V | 3P+N+T CEE
Esistente
------7 ------
0,5
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
14
13
Facilities
Locale
Id Macchina
Gas tecnici
+3
=CA1-sc
+3
-LAV
+3
-FO (-M18)
+9
+3
=FO-PV
-FV1 (-M19)
+9
+3
=FV-PV
-PECVD
(-M20)
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
Denominaz. | purezza | pressione | portata
Ac
N2
| | 6 atm | 500 l/1'
| 3.0 |2,5 atm | 50 l/1'
Ac
Ar
N2
NH3
O2
SiH4
N2
Ac
Ar
N2
O2
SiH4
N2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6
3
7
7
3
3
6
6
3
7
3
3
6
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 l/1'
5 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 l/1'
Ac
Ar
B2H6
CF4
GeH4
N2
NH3
O2
SiH4
=PECVD-GRC Ac
N2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7
1
1
1
1
3
1
1
1
7
3
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
200 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
5 l/1'
5 l/1'
H2O
H2O
PW2
| 2,5 atm | 6 l/1' | | 2,5 atm | 6 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
note
Scarichi speciali
Scarichi speciali
RNC | 5 atm | 40
RNC | 5 atm | 5
l/1' | 15°
l/1' | 15°
filtro per N2 per particles < 0.01µm
RNC | 5 atm | 40
RNC | 5 atm | 3
l/1' | 15°
l/1' | 15°
filtro per N2 per particles < 0.01µm
RNC | 2 atm |
11
l/1' | 15°
------8 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
6
descrizione
8
9
Costruttore/modello di riferimento
+4
-ETCH-1
(-M21)
Macchina di attacco TRIKON Omega MORI
Trikon Omega 201 Mori
+4
-M22
High density PECVD
Samco PD270STL
+4
-M23
Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher 1
(ICP-RIE)
SAMCO INDUCTIVELY
COUPLED RIE
CHLORINE ETCHING SYSTEM,
RIE-200IP
+4
-M24
Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher 1
(ICP-RIE)
SAMCO INDUCTIVELY
COUPLED RIE
CHLORINE ETCHING SYSTEM,
RIE-200IP
------9 ------
Note
10
11
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
estrazione aria
[mc/h]
5
calore disperso in
ambiente [kW]
4
Modalità
collegamento
elettrico
3
tensione | fasi
alimentazione
2
In portezione
Minima [A]
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
20
100 400V | 3P+N+T DIR
20
25
50 400V | 3P+N+T DIR
2
20
50 400V | 3P+N+T DIR
2
20
50 400V | 3P+N+T DIR
2
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
13
14
Facilities
Locale
Id Macchina
Gas tecnici
Denominaz. | purezza | pressione | portata
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
+4
-ETCH-1
(-M21)
Ac
Ar
CF4
H2
N2
O2
|
|
|
|
|
|
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
|
|
|
|
|
|
7
1
1
1
3
1
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
10 l/1'
200 sccm
200 sccm
2000 sccm
200 l/1'
500 sccm
RNC | 6 atm |
60
l/1' | 15°
+4
-M22
Ac
CF4
N2
N20
NH3
O2
SiH4
|
|
|
|
|
|
|
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
|
|
|
|
|
|
|
7
1
3
1
1
1
1
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
|
10 l/1'
50 sccm
200 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
RNC | 6 atm |
20
l/1' | 15°
+4
-M23
Ac
|
Ar
|
BCl3 |
CF4 |
CH4 |
Cl2 |
H2
|
He
|
N2
|
SiCl4|
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
120 sccm
50 sccm
RNC | 6 atm |
20
l/1' | 15°
+4
-M24
Ac
|
Ar
|
BCl3 |
CF4 |
CH4 |
Cl2 |
H2
|
He
|
N2
|
SiCl4|
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10 l/1'
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
50 sccm
120 sccm
50 sccm
RNC | 6 atm |
20
l/1' | 15°
------10 ------
note
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
6
descrizione
Costruttore/modello di riferimento
+4
-M25
Reactive Ion Etcher per l’attacco del Silicio e materiali SAMCO REACTIVE ION ETCHER
dielettrici
MODEL: RIE-10NR
+4
+4
-M26
-M27
UV ozone cleaner
Samco UV-2
Plasma Ashing tool 1 per rimuovere i photoresist dopo
il processo di attacco
+4
-M28
Plasma Ashing tool 2 per rimuovere i photoresist dopo
il processo di attacco
+5
+13
+10
-Ebeam
Locale controllo Ebeam
Ebeam (-M29)
Locale servizio Ebeam
+6
-M32
Cappa per spinner
+6
+6
+6
+6
+6
-M32/1
-M32/2
-M32/3
-M32/4
-M33
spin coating system
spin coating system
Hot plate
Hot plate
Cappa per spinner
Vistec VB6
8
9
Note
11
6
2
16 400V | 3P+N+T DIR
16 230V | 2P+T
CEE
2
0,5
3
16 230V | 2P+T
CEE
0,5
3
16 230V | 2P+T
CEE
0,5
2
16 230V | 2P+T
S
0,5
5,5
Esistente
------11 ------
10
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
estrazione aria
[mc/h]
5
calore disperso in
ambiente [kW]
4
Modalità
collegamento
elettrico
3
tensione | fasi
alimentazione
2
In portezione
Minima [A]
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
30
50 400V | 3P+N+T DIR
2,5
1
1
1
1
16
16
16
16
16
DIR
S
S
S
S
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
400V | 3P+N+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
5,5
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
13
14
Facilities
Id Macchina
Locale
+4
-M25
+4
+4
-M26
-M27
+4
-M28
+5
+13
+10
-Ebeam
+6
+6
+6
+6
+6
+6
Gas tecnici
-M32
-M32/1
-M32/2
-M32/3
-M32/4
-M33
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
Denominaz. | purezza | pressione | portata
Ac
Ar
CF4
CHF3
CF4
N2
O2
O2
Ac
CF4
N2
O2
Ac
CF4
N2
O2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ac
N2
VG
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2
1
1
1
1
1
1
1
5
1
3
1
5
1
3
1
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
10
50
50
50
50
40
50
50
10
50
50
50
10
50
50
50
l/1'
sccm
sccm
sccm
sccm
l/1'
sccm
sccm
l/1'
sccm
sccm
sccm
l/1'
sccm
sccm
sccm
note
RNC | 6 atm |
20
l/1' | 15°
| | 6 atm | 10 l/1'
| 5.0 | 2 atm | 10 l/1'
| | | 5 l/1'
RNC | 2 atm |
2
Ac
N2
VG
| | 6 atm | 5 l/1'
| 3.0 | 3 atm | 5 l/1'
| | | 5 l/1'
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200,strumenti all'interno, scarichi
speciali
Ac
N2
VG
| | 6 atm | 5 l/1'
| 3.0 | 3 atm | 5 l/1'
| | | 5 l/1'
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200,strumenti all'interno, scarichi
speciali
l/1' | 20°
------12 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
5
6
Costruttore/modello di riferimento
+6
+6
+6
+6
+6
-M33/1
-M33/2
-M33/3
-M33/4
-M34
spin coating system
spin coating system
Hot plate
Hot plate
Cappa per sviluppo 1
+6
-M35
Cappa per sviluppo 2
+6
-M36
Cappa per solventi
+6
-M37
SUSS MABA6 contact aligner
SUSS MABA6
+6
-M38
Suss MJB3 contact aligner
Suss MJB3
+6
+6
-M39
-M40
Forno per Curing oven
Bake oven
+6
-M41
Image reversal oven
+6
+6
+6
-M42
-M43
-M44
Microscopio
Microscopio
Deep UV lamp system
TPS LO-136
Yield Engineering Systems
YES-310TA
Yield Engineering Systems
YES-310TA
Nikon Az100
Nikon Az100
+14
-M45/-M46
interference lithography
+7
-M47
Cappa Acidi 1
------13 ------
Note
In portezione
Minima [A]
descrizione
8
9
1
1
1
1
16
16
16
16
230V | 2P+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
10
11
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
estrazione aria
[mc/h]
4
calore disperso in
ambiente [kW]
3
Modalità
collegamento
elettrico
2
tensione | fasi
alimentazione
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
S
S
S
S
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,6
20 230V | 2P+T
CEE
0,8
1
2
16 230V | 2P+T
20 230V | 2P+T
CEE
CEE
0,8
0,8
2
20 230V | 2P+T
CEE
0,8
2
0,5
0,5
2
20 230V | 2P+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
20 230V | 2P+T
CEE
CEE
CEE
CEE
0,8
4
32 400V | 3P+N+T DIR
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
0,8
0,8
1000
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
13
14
Facilities
Id Macchina
Locale
+6
+6
+6
+6
+6
+6
+6
Gas tecnici
-M33/1
-M33/2
-M33/3
-M33/4
-M34
-M35
-M36
+6
-M37
+6
-M38
+6
+6
-M39
-M40
+6
-M41
+6
+6
+6
-M42
-M43
-M44
+14
-M45/-M46
+7
-M47
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
Denominaz. | purezza | pressione | portata
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
N2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
3 atm |
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
5 l/1'
10 l/1'
2 l/1'
5 l/1'
10 l/1'
2 l/1'
10 l/1'
N2
N2
NH3
| 3.0 | 3 atm | 10 l/1'
| 3.0 | 3 atm | 10 l/1'
| 5.0 | 1 atm | 50 sccm
Ac
N2
VG
| | 6 atm | 5 l/1'
| 3.0 | 3 atm | 5 l/1'
| | | 5 l/1'
note
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
------14 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
6
descrizione
+7
-M48
Cappa Acidi 2
+7
-M49
Cappa Acidi 3
+7
-M50
Cappa Acidi 4
+7
-M51
Cappa Solventi 1
+7
-M52
Cappa Solventi 2
+7
-M53
Cappa Corrosivi
+7
-M54
Cappa per Plating system
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
-M55
-M56
-M57
-M58
-M59
-M60
-M61
Metricon 2010/M prism coupler
Thin film stress measurement tool
Profilometer 1
Profilometer 1
Microscopio ottico
Microscopio ottico
Probe station
+8
-M62
Ellipsometer
+8
-M63
Reflectometer
8
9
Costruttore/modello di riferimento
Metricon 2010/M
Note
10
11
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
2,5
16 400V | 3P+N+T DIR
1000
0,5
0,5
0,5
0,5
16
16
16
16
230V | 2P+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
230V | 2P+T
S
S
S
S
0,1
0,1
0,1
0,1
0,5
16 230V | 2P+T
S
0,1
0,5
0,5
16 230V | 2P+T
16 230V | 2P+T
S
S
0,1
0,1
Cascade Microtech PM8
------15 ------
estrazione aria
[mc/h]
5
calore disperso in
ambiente [kW]
4
Modalità
collegamento
elettrico
3
tensione | fasi
alimentazione
2
In portezione
Minima [A]
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
14
13
Facilities
Id Macchina
Locale
+7
+7
+7
+7
+7
+7
+7
Gas tecnici
-M48
-M49
-M50
-M51
-M52
-M53
-M54
+8
+8
+8
+8
+8
+8
+8
-M55
-M56
-M57
-M58
-M59
-M60
-M61
+8
-M62
+8
-M63
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
Denominaz. | purezza | pressione | portata
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
Ac
N2
VG
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
-
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
6 atm |
3 atm |
|
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
Ac
Ac
Ac
Ac
|
|
|
|
-
|
|
|
|
6
6
6
6
5
5
5
5
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
Ac
VG
Ac
VG
VG
|
|
|
|
|
-
| 6 atm | 5
| | 5
| 6 atm | 5
| | 5
| | 5
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
l/1'
atm
atm
atm
atm
|
|
|
|
note
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
H2O
PW2
| 2,5atm| 12 l/1' | | 2,5atm| 12 l/1' |
Larghezza massima 1200, Scarichi speciali
da tavolo
da tavolo
da tavolo
da tavolo
da tavolo
da tavolo
da tavolo
------16 ------
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
6
+15
-M64
descrizione
8
9
Costruttore/modello di riferimento
Note
10
11
Caratteristiche
termiche e aerauliche
Caratteristiche elettriche
Potenza elettrica
[kW]
Locale
Id Macchina
Caratteristiche generali
7
FEI SEM
4
32 230V | 2P+T
D
0,5
Legenda
Colonna 9
Colonna 12
DIR = collegamento diretto a quadro di zona/baia
S = collegameno con presa a passo shuko
CEE = collegamento con presa a passo CEE (Interbloccata)
Ac = aria compressa priva di olio
NH3 = Ammoniaca
Ar = argon
O2 = Ossigeno
B2H6 = Diborano
SiCl4 = Tetracloruro di silicio
BCl3 = tricloruro di Boro
SiH4 = Silano
CF4 = tetrafluorometano
VG = vuoto grossolano (press. Assoluta 130 Pa)
CH4 = Metano
GeH4 = Germano
5.0 = purezza 99,999
H2= Idrogeno
3.0 = purezza 99,9
H2N2 = Forming gas (5% H2, 95%N2)
He = Elio
N2 = azoto
------17 ------
estrazione aria
[mc/h]
5
calore disperso in
ambiente [kW]
4
Modalità
collegamento
elettrico
3
tensione | fasi
alimentazione
2
In portezione
Minima [A]
1
IG03 - ELENCO MACCHINE
PROGETTO PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS
(PIC 2012)
1
2
IG03 - ELENCO MACCHINE
12
13
14
Facilities
Id Macchina
Locale
+15
Gas tecnici
-M64
Denominaz. | purezza | pressione | portata
Ac
N2
| | 6 atm | 5 l/1'
| 3.0 | 3 atm | 5 l/1'
Fluidi
denominaz. | pressione | portata |Temp.
RNC | 2 atm |
2
l/1' | 20°
Legenda
Colonna 13
PW2 Acqua pura livello II (da 1 a 10 Moho*cm)
RAFF= raffreddamento filtrazione: 5 micron, ph: 7, durezza 5°F
RIS: Riscaldamento: filtrazione: 5 micron, ph: 7, durezza 5°F
RNC = raffreddamento senza condensazione, filtrazione: 5 micron, ph: 7, durezza 5°F
UPW1 acqua ultrapura livello I (da 10 a 18 Mohm*cm)
------18 ------
note