CNR- INFM
COHERENTIA
Università di Napoli
“Federico II”
SEMICONDUTTORI ORGANICI PER
L’ELETTRONICA
Antonio.Cassinese
CNR-INFM COHERENTIA - Dipartimento di
Scienze Fisiche Università di Napoli Federico II
Semiconduttori organici per elettronica
Introduzione ai
semiconduttori organici
Semiconduttori organici per elettronica
PRODOTTI COMMERCIALI – TV OLED
DALL’AUTUNNO 2008, SONY
HA INIZIATO A
COMMERCIALIZZARE LA
PRIMA TV OLED – (Organic
Light Emitting Diode)
XEL 1: SCHERMO 11’’
Costo 2.400 euro
GIA’ COMMERCIALIZZATI
DA TEMPO:
MINI
DISPLAYS – PER
CELLULARI, OROLOGI E
MP3 PLAYERS
Semiconduttori organici per elettronica
PROSPETTIVA APPLICATIVA: ELECTRONIC PAPER
E-PAPER: FLEXIBLE ACTIVE-MATRIX DISPLAYS – GIORNALE ELETTRONICO
http://it.youtube.com/watch?v=rYc4dnVs4RM
EX SPIN-OFF DELL’UNIVERSITA’
CAMBRIDGE
Si prevede che la commercilaizzazione inizierà nella primavera
2009. Nuova factory a Dresda – $100 mln di investimento
Semiconduttori organici per elettronica
SEMICONDUTTORI ORGANICI: NUOVO
PARADIGMA PER L’ELETTRONICA
Etichette RFID,
Smart objects,
Memorie
BASSI
COSTI
BIOCOMPATI
BILITA’
Sensing chimico,
biologico,
Packaging attivo
Tailoring
chimico
infinito
Substrati
flessibili
FILM
SOTTILI
ORGANICI
Schermi flessibili,
Schermi OLED
Tecniche di
printing roll to
roll- inkjet
MULTIFUNZIO
NALITA’
Energia alternativa
Integrazione con
inorganici - ibridi
Semiconduttori organici per elettronica
PROSPETTIVE: ($) !!!!!!
EVOLUZIONE DEL MERCATO DELL’ELETTRONICA ORGANICA
FONTE: http://www.IDtechEx.com
http:// www.oe-a.net (Organic Electronics Association)
….IDTechEx forecast plastic electronics will be a $48 billion industry
by 2017, and could reach as much as $300 billion by 2027….
Semiconduttori organici per elettronica
Aspetti fondamentali del
Trasporto di carica
Semiconduttori organici per elettronica
Si definisce organico qualsiasi composto del Carbonio (C) in cui questi abbia
numero di ossidazione inferiore a +4. Altri atomi componenti: H, N, O e in minor
misura S, Si . SOFT MATTER (materia soffice)
REQUISITO NECESSARIO PER LA CONDUZIONE DI CARICA : PRESENZA DI
LEGAMI DOPPI E TRIPLI DEL CARBONIO E FENOMENI DI IBRIDIZZAZIONE
Doppio Legame: Orbitale σ
Il legame di tipo p è più debole
e orbitale p (π)
del legame di tipo sigma (quindi più reattivo
Gli orbitali p danno luogo ad un legame di tipo π formando una “una nuvola”
di elettroni sopra e sotto il piano dei legami di tipo σ.
Acetilene: C2H2
Semiconduttori organici per elettronica
TRASPORTO DI CARICA NEGLI ORGANICI – RIASSUMENDO
• Nella maggior parte dei casi, i semiconduttori organici formano strutture
a stato solido solo parzialmente cristalline – Trasporto in assenza di
Bande delocalizzate – Hopping delle cariche – ATTIVAZIONE TERMICA.
• Concentrazioni basse dei portatori di carica- effetti inevitabili di Doping
(unintentional) da impurezze.
• Fenomeno dell’iniezione dei portatori ancora non completamente
compreso e ben descritto.
• Presenza di effetti di carica spaziale (localizzazione macroscopica delle
cariche) e fenomeni di trapping (sia estrinseco che intrinseco).
Tutti questi fenomeni sono comuni ai dispositivi organici e ne
influenzano la risposta macroscopica. In molti casi, alcuni di essi sono
prevalenti rispetto agli altri e sono tenuti in maggior considerazione.
Macroscopicamente il
trasporto di carica
risulta sempre non
lineare.
J  env  enE
Es:
Con n e µ dipendenti dal campo E

 E
  exp(  ) * exp(
)
kT
kT
Semiconduttori organici per elettronica
Dispositivi ed applicazioni
principali: esempi
Semiconduttori organici per elettronica
SCHERMI AD OLED: ULTRAPIATTI
OLED vs LCD
• Assenza di retroilluminazione
• Angolo di visuale maggiore di 180°
• Minor consumo di energia
• Tempi di risposta più rapidi
• Color tunability
SVANTAGGI: Lifetime: Degradazione dovuta ad ossigeno e umidità –
Necessità di incapsulamento – Aumento dei costi.
NUOVA FRONTIERA- OLED Bianchi: Lightning
ALTA EFFICIENZA DI EMISSIONE: RISPARMIO
ENEREGETICO
Semiconduttori organici per elettronica
ORGANIC SOLAR CELLS
Struttura simile ad Oled (multilayer): comportamento Duale – i fotoni
incidenti generano cariche, con passaggio di corrente
Tipologie:
-Celle completamente organiche
(heterojunction)
- Celle ibride organicheinorganiche (TiO2 es.)
- Celle Dye sensitized
Efficienza e’ ancora bassa 4-5% come migliore risultato , ma in linea di
principio e’ possibile ricoprire di OSC aree molto piu’ grandi : mattonelle,
intere pareti di edifici ecc.
Semiconduttori organici per elettronica
DISPOSITIVI ORGANICI BISTABILI: APPLICAZIONI DI MEMORIA
Oltre le memorie attuali – TREND GENERALE: verso un dispostivo di memoria
che combini la velocità delle DRAM, la non volatilità delle FLASH memory, il
basso costo, la densità di storage e l’endurance degli HARD DISK.
Resistive Random Access Memory
Al
Ps +Au-DT NPs + 8HQ
Glass Substrate
Al
PRINCIPALI TIPOLOGIE
UNDER DEBATE
• Singoli layer o multilayer di
oligomeri o polimeri tra elettrodi
metallici
EFFETTI INTRINSECI : Coniugazione e/o
orientazione delle molecole in funzione del
campo Applicato- Effetti di trasferimento di
carica
• Filler conduttivi (MNP, molecole
coniugate) in matrici organiche
isolanti o semi-isolanti
EFFETTI ESTRINSECI
Contributo degli Elettrodi (Al), formazione di
stati sottili di ossidi, Conduzione filamentare.
Semiconduttori organici per elettronica
Spintronica organica: Trasporto di spin nei semiconduttori organici –
Dispostivi magnetoresistivi
I materiali organici permettono di preservare meglio la corenza di spin
rispetto agli altri semiconduttori (low spin orbit coupling).
SPIN VALVE: elettrodi
ferromagnetici
V=0.1Volt
MR a bassi
campi e basse T
Alq3
Z.H. Xiong et al., Nature 427, 821 (2004)
ALTRI DISPOSTIVI ORGANICI MAGNETORESISTIVI: OMAR (senza uso di
elettrodi ferromagnetici). MR response a temperatura ambiente con alti
campi elettrici applicati – ORIGINE IN DISCUSSIONE !!!
Semiconduttori organici per elettronica
Organic Field Effect Transistors
STRUTTURE
OFET - TFT
MOSFET
(a) Top Contact / Bottom Gate (TC/BG)
DIFFERENZE PRINCIPALI
(b) Bottom Contact / Bottom Gate (BC/BG)
(c) Bottom Contact / Top Gate (BC/TG)
• MOSFET basato sul fenoemno dell’inversione – OFET su accumulazione, meccanismo
intrinsecamente non lineare – FENOMENO INTERFACCIALE (fattore tecnologicamente
critico)
• Semiconduttori organici undoped, tuttavia mostrano un comportamento intrinsecamente
di tipo p o n (meno raramente)
• Drain e Source metallici (resistenze di contatto)
• Mobilità dei portatori dipendente dalla tensione di gate applicata (da densità dei
portatori)
Semiconduttori organici per elettronica
Organic Field Effect Transistors

Nonostante le notevoli differenze, le equazioni della corrente IDS=f(VDS,
VGS) negli OFET (in prima approssimazione) sono identiche a quelle dei
MOSFET – (cambia il significato fisico della threshold voltage)
LINEARE VGS>VDS
I DS
WC i 

*VDS (VG  Vth )
L
Output curves: IDS vs VDS at different Vg
SATURAZIONE VGS=VDS
WCi 
I DS 
* (VG  Vth ) 2
2L
Transfer curve: IDS vs Vg at fixed VDS
Mobilità FET compresa tra 10-4 cm2/V*s per fet polimerici amorfi a circa
30 cm2/V*s per fet con cristalli molecolari (RUBRENE)- [aSi ~1 cm2/V*s]
Semiconduttori organici per elettronica
APPLICAZIONI O-FET
Radio Frequency Identification Tag (O-RFID)
Price-sensitive mass markets
Circuiti raddrizzatori e logiche circuitali basate sul transistor organici –
Frequenze operative richieste fino a 13.56 MHz – Ottimizzazione della mobilità
e del layout del dispositivo
O-LET: Organic Light Emitting Transistors (Oled+Ofet)
Trasporto ambipolare: per una stessa
polarità di VDS e VGS vengono
accumulati sia elettroni che lacune che
poi si ricombinano emettendo luce
Smart pixel
(MOLTI APPROCCI DIFFERENTI –
DIFFICILE OTTIMIZZAZIONE)
Semiconduttori organici per elettronica
APPLICAZIONI O-FET: SENSORI
SENSORI DI PRESSIONE: Esempi in letteratura
The robot skin
SENSORI DI GAS: Esempi in letteratura
Upon exposure to a saturated
atmosphere of 1-pentanol in N2
Semiconduttori organici per elettronica
Tecniche di deposizione in
vuoto e sistemi di
caratterizzazione elettrica
Semiconduttori organici per elettronica
SISTEMA DI DEPOSIZIONE OMBD (Organic Molecular Beam Deposition)
Deposizione di film organici con evaporazione da Celle Knudsen
10-7/ 10-8mbar
CELLE DI KNUDSEN
CONTROLLO ACCURATO DELLA TEMPERATURA DEL
SUBSTRATO E DEL RATE DI CRESCITA (Tickness Monitor)
Semiconduttori organici per elettronica
SISTEMA DI DEPOSIZIONE MAPLE
• TECNICA PLD (Pulse Laser Deposition) – Approccio MAPLE – Deposizione
di polimeri usando come target una soluzione congelata
pulsed
laser beam
frozen
target
(heated)
substrate
Semiconducting polymers: Poly[2-methoxy-5-(2’-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene
vinylene] (MEH-PPV) - Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)
Biological polymers (biomedical, electronic, chemical sensing applications):
Polyethylene glycol (PEG) - Poly(lactide-co-glycolide) (PLGA) - Horseradish
peroxidase (HRP)
Semiconduttori organici per elettronica
TECNICHE DI FOTOLITOGRAFIA (convenzionale)
per la realizzazione di dispositivi/circuiti con la risoluzione del μm su
metalli, semiconduttori inorganici, superconduttori
Illuminazione UV
USO DI MASCHERE
POLIMERI FOTOSENSIBILI
(FOTORESIST)
maschera
resist
ATTACCHI CHIMICI
SELLETTIVI
TECNICHE DI SOFT LITOGRAPHY MICROCANALI IN MATRICE DI PDMS
(Studio di Microemoreologia) – in collab. Dip. ING. CHIMICA (Un. di Napoli)
Geometria del canale variabile
3.5 mm
Semiconduttori organici per elettronica
TECNICHE DI CARATTERIZZAZIONE DELLE PROPRIETA’ ELETTRICHE
• Misure DC – AC (frequenza fino a 3GHz) su film sottili e materiali bulk
• Conducibilità dai semi-isolanti (10-10 S/cm) ai superconduttori
• Temperature tra 400K (circa 130 °C) fino a 4.2 K (-268.8 °C)
• Misure in vuoto o atmosfera controllata (gas inerte)
PROBE STATION CROGENICA
Semiconduttori organici per elettronica
TECNICHE DI CARATTERZZAZIONE STRUTTURALE DEI FILM DEPOSITATI
• CARATTERIZZAZIONE AFM E RAGGI X
• Analisi FTIR (fornisce informazioni sulla struttura a corto raggio del
polimero)
• Analisi UV/VIS (fornisce informazioni sull’ordine strutturale del
polimero nel film)
MAPLE deposited poly[3-(4-octyloxyphenyl) thiophene film
Analisi UV/VIS
Analisi FTIR
pp* transition peaks
180°C
150°C
80°C
30°C
25°C
Spin Coating
CHCl3 solution
side chains (UV)
main chains
(VIS)
absorbance
Absorbance
absorbance
Absorbance
Solution Cast
Maple 150°C
Maple and annealing 150°C
600 900 1200 1500 1800
2700 3000 3300 3600
-1
wavenumber
Wavenumber(cm
(cm ) )
-1
200
200
300
400
400
500
600
600
Wavelength (nm)
700
wavelength (nm)
800
800
Semiconduttori organici per elettronica
Transistor organici (OFET):
attività di ricerca e linee di
sviluppo
Semiconduttori organici per elettronica
Dip. Scienze Fisiche Univ. Federico II /CNR-INFM “Coherentia”
PRINCIPALI ATTIVITA’ FET ORGANICI

Deposizione film, caratterizzazione strutturale e analisi delle proprietà
elettrica DC di fet oligomerici (Pentacene, Sexitiofene (T6) (Ptype), Perilene
(Ntype)) e polimerici (P3HT, da soluzione e con tecnica MAPLE)

Analisi dei fenomeni di Bias stress nei transistor organici.

Sviluppo Tecniche di Spettroscopia di Impedenza per lo studio della risposta
in frequenza dei FET organici.

Tecniche Termografiche per analisi della distribuzione di corrente nei fet
organici.

Analisi della risposta dei fet in presenza di luce: fenomeni di trapping.

Analisi di biocompatibilità dei film organici con sistemi cellulari in vitro integrazione di FET con canali microfluidici. Sensing biologico.
Semiconduttori organici per elettronica
OLIGOMERI– (Evaporazione per celle di Knudsen 10-7 10-8 mbar )
P-TYPE
T6 - Sexithiophene - C24H14S6
µ ~ 10-2 cm2/volt*sec
PENTACENE - C22H14
µ ~ 10-1 cm2/volt*sec
N-TYPE
N,N’-dioctyl-3,4,9,10-perylene tetracarboxylic diimide PTCDI-C8H
µ ~ 10-1 cm2/volt*sec – (instabile in aria)
Semiconduttori organici per elettronica
MORFOLOGIA: CARATTERIZZAZIONE AFM e X-rays
X - RAYS
FILM POLICRISTALLINI (es.T6)
Semiconduttori organici per elettronica
(Morfologia: Ottimizzazione dei parametri di deposizione)
TSUB Effect
AFM
lamellae
step-like islands
Rounded-shape grains
RT
SEXITHIOPHENE
40<T<80°C
100<T<150°C
Growth rate effect TSUB =60 °C
0.12 ML/min (terraces) (2D)
3 ML/min (dendritic)
200°C
PENTACENE
7.65 ML/min (grains) (3D)
Semiconduttori organici per elettronica
STRUTTURA DEI FET
DRAIN
SOURCE
FILM ORGANICO
SiO2 (200nm) – Ossido termico
Si++
(GATE)
L= 40 µm (C,D) - L=20
W/L= 550 (A, B, C, D)
µm (A,B)


GOLD
A
B
C
D
Bottom contact, bottom gate
Substrato di SiO2, contatti interdigitati d’oro, 2 dispositivi differenti
per lunghezza L (20 μm e 40 μm) e larghezza di canale (rapporto
W/L costante) – STESSA CORRENTE TEORICA
-6
-6,0x10
-5
-1,2x10
vG=0
vG=-10
vG=-20
vG=-30
vG=-40
vG=-50
-5
-1,8x10
-5
-2,4x10
-40
-30
-20
-10
0,0
-1,0x10
-4
-2,0x10
-4
-3,0x10
-4
-4,0x10
-4
-5,0x10
-4
-60
ARIA
VUOTO
-40
0
-20
0
20
40
60
GATE VOLTAGE [volt]
DRAIN SOURCE VOLTAGE [VOLT]
Lineare
-2
10
2
-50
DRAIN SOURCE CURRENT [AMPERE]
0,0
mobility [cm /volt*sec]
DRAIN SORCE CURRENT [AMPERE]
Semiconduttori organici per elettronica
ESEMPI DI CARATTERIZZAZIONE DC- FET T6
Saturazione
lineare
saturazione
-3
10
0
20
40 60 80 100 120 140
Thickness (nm)
Semiconduttori organici per elettronica
ESEMPI DI CARATTERIZZAZIONE DC- FET T6 (Temperatura)
-5
1,5x10
-5
1,0x10
-5
5,0x10
-6
Room Temperature
T=270 K
T=250 K
T=230 K
T=210 K
T=190 K
T=170 K
T=150 K
T=130 K
T=110 K
T=100 K
T=90 K
T=80 K
T=70 K
VDS=-5 volt
0,0
-60
-40
-20
0
20
40
60
- GATE VOLTAGE
2
- DRAIN SORUCE CURRENT [AMPERE]
2,0x10
MOBILITY [cm /volt*sec]
- DRAIN SORUCE CURRENT [AMPERE]
-4
1x10
-5
1x10
VDS=-5 volt
-6
1x10
-7
1x10
-8
1x10
-9
1x10
-10
1x10
-11
10
-40
0
40
- GATE VOLTAGE
-2
10
Ahrrenius Law
-3
10
-4
10
Activation energy
Ea = 60 – 90 meV
-5
10
0,004
0,008
0,012
-1
-1
Temperature [K ]
Semiconduttori organici per elettronica
FENOMENI DI INSTABILITA’ NEI FET ORGANIC – BIAS STRESS
WC i 
I DS 
*VDS (VG  Vth )
L
Shift della Treshold voltage
(tensione di soglia) dovuto alla
polarizzazione continua dl
dispositivo
In caso di polarizzazione
continua, il bias stress
produce un decadimento della
corrente con il tempo
1
β=parametro di dispersione, τ =tempo di rilassamento
Fenomeno legato all’intrappolamento progressivo delle
cariche libere, β e τ legate alla distribuzione delle trappole
Semiconduttori organici per elettronica
FENOMENI DI INSTABILITA’ NEI FET ORGANICI – BIAS STRESS
Fenomeno comune ad altri
semiconduttori amorfi o
policristallini – (αSi)
Caso pratico
PIXEL
Massima diminuzione tollerabile
intorno al 10 %
MINIMIZZARE L’EFFETTO – COMPRENSIONE DELL’ORIGINE FISICA
d=90nm Misure
d=90 nm FIT MINUIT
d=10 nm Misure
d=10 nm FIT MINUIT
-5
2,5x10
1
current (A)
Correlazione di β e 
con parametri di
deposizione
-5
2,0x10
-5
1,5x10
-5
1,0x10
-6
5,0x10
0
900
Time (sec)
1800
2700
Semiconduttori organici per elettronica
RISPOSTA AC DEI FET ORGANICI
-9
1.06x10
-9
1.04x10
Organic
Freq=100Hz
-9
DRAIN
SOURCE
(GATE)
CAPACITANCE [Farad]
1.02x10
LCR
meter
Dielectric
-9
1.00x10
-10
9.80x10
Accumulation
-10
9.60x10
-10
9.40x10
-10
9.20x10
-10
9.00x10
Vac*sin(ωt)+Vdc
-10
8.80x10
-50 -40 -30 -20 -10
0
10
20
30
40
50
VG=-40
VG=-35
VG=-30
VG=-25
VG=-20
VG=-15
VG=-10
VG=+20
VG=+40
-9
1.0x10
-10
9.0x10
CAPACITANCE [FARAD]
CAPACITANCE [FARAD]
Bias voltage [Volt]
-10
8.0x10
2
10
3
4
10
10
FREQUENCY [Hz]
5
10
-9
1.0x10
Vg=-40
-10
9.0x10
-10
8.0x10
Fc=3.7KHz
10
2
10
3
10
4
Frequency [Hz]
MAX FREQ. OPERATIVA
10
5
Semiconduttori organici per elettronica
RISPOSTA AC DEI FET ORGANICI
Open circuit at L/2
MOD 1
Trans. Line
MOD 2
Rc
Cc
Rc
Cc
-10
1.6x10
Vg=-40
Vg=-35
Vg=-30
Vg=-25
Vg=-20
Vg=-15
-10
Capacitance [Farad]
1.4x10
-10
1.2x10
-10
1.0x10
-11
8.0x10
-11
6.0x10
-11
4.0x10
CONTACT - CHANNEL RES []
Trans. Line
Valori RCH capacità
Valori RC capacità
6
10
5
10
-11
2.0x10
-40
0.0
3
10
4
10
-35
-30
-25
-20
-15
GATE VOLTAGE [VOLT]
5
10
-1
ANGULAR FREQUENCY [s ]
Tool for Contact Resistance extraction
Semiconduttori organici per elettronica
TERMOGRAFIA LOCK IN – STUDIO DISTRIBUZIONE DI
CORRENTE IN FET ORGANICI
Prof. G. BREGLIO, Prof. A. IRACE
Semiconduttori organici per elettronica
TERMOGRAFIA LOCK IN – STUDIO DISTRIBUZIONE DI
CORRENTE IN FET ORGANICI
-4
x 10
2.5
50
2
100
1.5
150
1
VGS=-50V
VDS=-50V
200
0.5
250
50
100
150
200
250
300
FILL FACTOR – CORREZIONE CALCOLO DELLA MOBILITA’
FF 
ATOT  A
T  x , y T  x , y 
ATOT
 h ,c
1

 h
FF
Semiconduttori organici per elettronica
INTERAZIONE LUCE E FET ORGANICI – FENOMENI DI TRAPPING
PERYLENE - N TYPE
Misura in vuoto
Effetto Memoria
DRAIN SOURCE CURRENT [Ampere]
P TYPE
-1
Oscurità
Sotto un'illuminazione di 20 min
Oscurità dopo 60 min da illuminazione
10
-2
10
-3
10
-4
1x10
-5
1x10
-6
10
-7
10
VDS=50 Volt
-8
10
-20
0
20
Gate voltage [volt]
40
Semiconduttori organici per elettronica
FET ORGANICI – BIOSENSORI
Interfacce
Neuro-elettroniche
Rilevazione e
trasduzione
segnali neuronali
FET ORGANICI: compatibilità con la vita di cellule umane !!!
CELLULE
NEURONALI
Semiconduttori organici per elettronica
FET ORGANICI – BIOSENSORI
STUDIO PRELIIMINARE: SAGGI DI TOSSICITA’ DI FIBROBLASTI SU FET DI T6
In collaborazione con gruppo Prof.
S. Guido – Dip, Ingegneria Chimica
T=0
dopo
dopo
dopo
dopo
-6
10
-3
64 ore
114 ore
232 ore
302 ore
-7
-3
1.5x10
2
10
IN ZONA LINEARE
2.0x10
Mobility [cm /volt*sec]
DRAIN SOURCE CURRENT [Ampere]
ANALISI DELLA DEGRADAZIONE IN ACQUA DI FET DI T6
-8
10
-3
1.0x10
-9
10
-4
-30
0
GATE VOLTAGE [Volt]
30
5.0x10
0
100
200
Time [Hours]
300
Semiconduttori organici per elettronica
FET ORGANICI – INTEGRAZIONE CON MICROFLUIDICA
ATTIVITA’ DA SVILUPPARE
9 micron
t = 0 secondi
a)
100 micron
PDMS micro- channel
Organic
film
t = 0.01 secondi
t = 0.02
secondi
Si doped Gate
Micro-fluid
FET ORGANICI – LINEE DI RICERCA
Dip. Scienze Fisiche Univ. Federico II /CNR-INFM “Coherentia”
SVILUPPI – PROSPETTIVE - LAVORO
Sintesi e studio di nuovi materiali
ottimizzazione processo di deposizione
Caratterizzazioni strutturali AFM/EFM
Prof. Roviello – Dott.
Marco Salluzzo
Obiettivo: n type
stabile in aria
Obiettivo: Interfacce
neuroelettroniche
Prof. S. Guido, Dott. F.
Biscarini (CNR_ISMN
Bologna) –
Verifica utilizzo OFET come
bioesensori - integrazione con
sistemi microfluidici
Implementazione nuove tecniche di
misura: Tecniche AC, Misure di
Rumore, Sviluppo Tecniche
Termografia
FET
ORGANICI
Prof. G. Breglio,
Prof. A. Irace
Obiettivo:Modeling
elettrico dei dispositivi
Obiettivo: Studio dei
meccanismi di trapping
Prof. L. Vicari – F. Bloisi
Studio interazione OFET con
luce e tecniche di analisi
ottiche innovative.
FET ORGANICI – LINEE DI RICERCA
Dip. Scienze Fisiche Univ. Federico II /CNR-INFM “Coherentia”
PEOPLE INVOLVED
• Antonio Cassinese – Researcher (Group Leader)
• Carmela Aruta – CNR researcher
• Pasquale D’Angelo – Phd
• Flavia Viola Di Girolamo • Tommaso Viggiano –