Applicazioni Industriali delle sorgenti di Radiazioni Ionizzanti (AIRI) Introduzione al corso (x48) Andrea Candelori Istituto Nazionale di Fisica Nucleare e Dipartimento di Fisica, Padova Partiamo dagli "Effetti da Evento Singolo“ distruttivi e non distruttivi. . . Introduzione agli Effetti da Evento Singolo -La possibilità di SEU indotti da raggi cosmici viene predetta da J. T. Wallkmark and S.M. Marcus nel 1962. 4 SEU in J-K Flip-Flop bipolari in 17 anni di operatività di un satellite per comunicazioni dovuta ai raggi cosmici nel gruppo del Ferro. Spettro dei raggi cosmici rispetto al LET SEU in DRAM (Intel) indotta da particelle alfa, dovuta alla contaminazione di Uranio e Torio del package ceramico a causa dell’acqua utilizzata nella lavorazione dalla fabbrica posta a valle di una miniera di Uranio. Cambio del package ceramico. -1990s: smaller IC, higher speeds, complex circuitry and increasing sensitivity to SEE. -Late 1990s: memory soft error "controllable" (SOI, B-free materials error detection and correction techniques), moving to combinational (or core) logic. SEU in DRAM dovuti a protoni per spallazione nucleare: fascie di Van Allen e SAA, eventi solari. Nello stesso anno: -C. S. Guenzer et al. evidenziano SEU in DRAM dovuti a neutroni per spallazione nucleare: ambiente atmosferico; -A. Kolasinski individua il3 SEL in DRAM. Single Event Effects (SEE) Definition: “Single event effects (SEE) are individual events which occur when a single incident ionising particle deposits in a sensitive volume of the device enough energy in form of ionization to cause an effect in a device”. Single event effects (SEE) can be -destructive events: Single Event Snapback (SES) in MOSFET Single Event Latch-up (SEL) in CMOS technologies Single Event Burnout (SEB) in power DMOS transistor Single Event Gate Rupture (SEGR) in DMOS transistor -non destructive events: Single Event Upset (SEU) Single Event Drain Current Collapse (SEDC2) Single Event Disturb (SED) Single Event Transient (SET) Single Event Functional Interrupt (SEFI) Power MOSFET: Single Event Burnout (SEB) Photograph of a power MOSFET after SEB. 5 Protoni, ioni ed interazione con la materia: SRIM Soluzione dell’esercizio 2 D-E) La soluzione del quesito (grafico) Dal grafico si osserva, qualitativamente, che nei primi 10 m di Silicio il valore del LET dello ione è crescente. Il picco di Bragg di trova a circa 50 m dalla superficie del campione, ovvero a 40 m di profondità nel silicio e vale circa 403 eV/A ovvero (1 eV/A=0.043083 MeV·cm2/mg in Si) 17.4 MeV·cm2/mg. 6 Power MOSFET Power MOSFETs: large current capabilities are achieved by the parallel connection of thousands of smaller units cells. Cross section of a n-channel power MOSFET Cross-section for parallel connections of n-channel power MOSFETs. 7 CMOS inverter The inverter is the simplest CMOS logic gate. -When a low voltage (0 V) is applied at the input, the top p-type MOSFET is conducting (switch closed) while the bottom n-type MOSFET behaves like an open circuit: the supply voltage (5 V) appears at the output. -When a high voltage (5 V) is applied at the input, the bottom n-type MOSFET is conducting (switch closed) while the top p-type MOSFET behaves like an open circuit: the output voltage is low (0 V). -The function of this gate can be summarized by the following table: VIN VOUT VDD S High Low Low High p-channel B MOSFET VIN D D VIN VOUT n-channel B MOSFET VOUT S VSS CMOS inverter schematic (left) and standard symbol (right). 8 CMOS inverter: the inherent p-n-p-n structure P-MOSFET N-MOSFET NPN type B S D D S B C N E N+ IE= IB+ IC PMOS B n+ D S p+ NMOS D S n+ B p+ C PNP P PNP type B E NPN p B P+ E N P C n CMOS inverter: physical cross section view showing the inherent p-n-p-n structure triggering the Single Event Latch-up (up) and equivalent circuits of the p-n-p-n 9 structure (down) implementing two parasitic BJT transistors. CMOS inverter: the inherent p-n-p-n structure VDD VSS P-MOSFET N-MOSFET S p+ S n+ B n+ N+ P+ VDD B p+ N+ RS P+ B RW RS C N E P P N-Substrate P C B P E B N C P NPN C P N B P-Well N PNP E N N E P VSS Physical cross section (left) and equivalent circuits (right) of the p-n-p-n structure with the two parasitic BJT transistors.. 10 RW SOI Technology CMOS Standard bulk technology -SOI transistor are built on top of an oxide instead of a silicon substrate. -SOI process technology is similar to standard bulk technology. CMOS Silicon on Insulator Technology (SOI) 20-250 nm 350-400 nm 11 Ion-triggered channeling (ITC) in MOSFET Confronto della simulazioni tra MOSFET e giunzione p-n (bulk-drain) Layout del dispositivo (MOSFET a canale n in condizione OFF: VG<VT=0.9V) per le simulazioni 3D Layout del dispositivo (singola giunzione p-n) per le simulazioni 3D Carica generata dalo ione incidente Q= 55 fC Carica raccolta all’impianto n+ (drain) del MOSFET: Q= 59 fC Carica raccolta all’impiato n+: della giunzione p-n: Q= 49 fC Memoria SRAM: dal Layout alla simulazione 3D Layout NMOS access transistor Simulazione 3D NMOS access transistor IEEE TNS, vol. 48, n. 6, December 2001, pp.1893-1903, "SEU-Sensitive Volumes in Bulk and SOI SRAMs From FirstPrinciples Calculations and Experiments", P. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, K. M. Horn, D. S. Walsh, G. L. Hash, T. A. Hill, B. L. Draper, J. R. Schwank, F. W. Sexton, and P. S. Winokur. Memoria SRAM: area del dispositivo sensibile (sezione d’urto) PMOS-ON PMOS-OFF S D D S S D D S NMOS-OFF NMOS-ON NMOS access transistor Quali sono le parti sensibili al SEU della cella di memoria SRAM, all’aumentare del valore di LET dello ione incidente? SEU and SEL charge collection regions in CMOS technologies Charge collection regions for Single Event Upset (SEU) and Single Event Latchup. 15 Introduzione ai SEE: la curva -E (protoni) Necessità di studiare non solo la reazione nucleare p+Si, ma anche le reazioni nucleari indotte dai protoni sugli altri elementi presenti nei componenti microelettronici, in particolare per quanto riguarda gli elementi ad alto Z, ad esempio Cu (Rame), Ti (Titanio) e W (Tungsteno), che vengono utilizzati nei "moderni" (2005) componenti microelettronici, ed in particolare nelle SRAM (J. R. Schwank et al., IEEE TNS vol.52, n.6, December 2005, pp.2622-2629). 16 . . . Dobbiamo conoscere l’ambiente di radiazione in cui operano i dispositivi nello spazio, nell’atmosfera e al suolo. . . Le fasce di Van Allen Immagine delle regioni toroidali attorno alla terra delle fasce di Van Allen interne ed esterne e della regione “vuota” 18 Le particelle intrappolate nella magnetosfera dei pianeti 19 Le particelle intrappolate nella magnetosfera terrestre L=2-3 La seconda fascia di protoni prodotta dalla tempesta magnetica solare del marzo 1991 misurata da CRRES per protoni di energia superiore a 47 MeV 20 Le particelle incidenti Le principali caratteristiche delle emissioni di massa dalla corona sono sintetizzate nella seguente tabella. Le principali caratteristiche dei raggi cosmici galattici sono sintetizzate, per confronto, nella seguente tabella. 21 I raggi cosmici galattici e solari La linea spessa è la curva che descrive l’attività solare Linea sottile: flusso complessivo di ioni Carbonio, Ossigeno e Azoto, espresso in ioni/(cm2stersMeVnucleone), misurate con la strumentazione a bordo del satellite IMP-8 nel periodo 1974-1997. Il fondo dei raggi cosmici galattici è modulato in anticorrelazione all’attività solare. I picchi sono dovuti a eventi di emissione di particelle da parte del sole (Solar Particle Event=SPE): brillamenti solari (solar flares) ed emissione di materia dalla 22 corana solare (corona mass ejections). Satelliti Satellite Chandra (X-ray Observatory) con orbita ellittica http://chandra.harvard.edu/ 23 L’ambiente atmosferico: gli sciami 24 Il danno da spostamento e gli esperimenti al CERN M. Hutinen: "Radiation issues for Super-LHC", Super-LHC Electronics Workshop, 26/2/04, CERN O. Bruning: "Accelerator upgrades for Super-LHC", Super-LHC Electronics Workshop, 26/2/04, CERN LHC (2007) Proton Energy: 7 TeV Collision rate: 40 MHz Peak luminosity: 1034 cm-2s-1 Integrated luminosity: 500 fb-1 =1.61016 => => => => Super-LHC (2015) 15 TeV 80 MHz 1035 cm-2s-1 2500 fb-1 25 cm-2 at r=4 cm Il danno da spostamento . . . Protons, ions and electrons: bulk damage (qualitative) If the energy of the impinging particle is high and if the impact parameter on the nucleous is low, the particle – nucleus interaction can cause the atom to be displaced by its position in the crystal lattice, causing the so called displacement damage. We analyze such effect by considering the classical mechanics approach. We analyze the elastic knock between two particles of mass m1 and m2 in two dimensions. We suppose that the total kinetic energy and momentum are conserved (elastic knock). V2 Before knock v1 v2 0 2 1 After knock V1 27 Il danno da spostamento: i difetti di punto -Nel silicio quando un atomo viene spostato dalla sua posizione reticolare viene creato un difetto di punto detto anche difetto di Frenkel costituito da una coppia vacanza-interstiziale. 28 Effetti microscopici del danno da spostamento Ricapitolazione 29 Il danno da spostamento: quali sono i dispositivi sensibili? -Diodi -Rivelatori a semiconduttore -BJT -JFET -LED -Laser -Fotodiodi -Celle solari -CCD Il danno da spostamento: l’ipotesi di riscalamento con il NIEL Sezione d’urto per il danno da spostamento (per atomo) per elettroni, neutroni, protoni 31 e pioni, normalizzata al valore dei neutroni da 1 MeV (95 MeV· mb) Il danno da dose totale . . . Photon (X-rays and -rays) interactions with matter: ok Schematic drawing of three processes through which photons interact with matter: a) photoelectric effect; b) Compton scattering; c) pair production. Perdita di energia per ionizzazione del mezzo: isolante Il fenomeno della ionizzazione di un isolante indotto da una particella incidente provoca: intrappolamento di carica positiva nel SiO2 (la cui densità di difetti su cm2 si indica con Nox) e creazione di stati interfacciali all’interfaccia SiO2/Si (la cui densità di stati interfacciali su cm2 si indica con Nit). Gli effetti dovuti alla carica positiva intrappolata nell’ossido e agli stati interfacciali indotti dalla radiazione ionizzante nel sistema MOS vengono chiamati danni da "Total Ionizing Dose" (TID). I dispositivi sensibili ai danni da Total Ionizing Dose (TID) sono i dispositivi in cui è presente un 34 sistema MOS, quindi in particolare le tecnologie CMOS bulk, CMOS SOI, BJT. The MOSFET sensitive parts to radiation SiO2/Si interface to ionizing radiation G S SiO2 to ionizing radiation D p+ p+ The substrate can be sensitive to bulk damage, but this effect is less relevant because the conduction is close to the SiO2/Si surface n B 35 The MOSFET sensitive parts to radiation SiO2/Si interface to ionizing radiation G S SiO2 to ionizing radiation D n+ n+ The substrate can be sensitive to bulk damage, but this effect is less relevant because the conduction is close to the SiO2/Si surface p B 36 Enhanced Low Dose Rate Sensitivity (ELDRS) -La carica positiva intrappolata nell’ossido tra base ed emettitore causa un aumento dell’ampiezza della regione di svuotamento nelle zone p/p- della base all’interfaccia SiO2/Si. -Gli stati interfacciali all’interfaccia SiO2/Si dell’ossido tra base ed emettitore provocano un aumento nella generazione di portatori della regione di svuotamento nelle zone p/p- della base all’interfaccia SiO2/Si. -La conseguenza è un aumento della corrente di base IB e quindi una diminuzione del parametro =IC/IB del transistor. -Tale effetto, che si manifesta a bassi ratei di dose (rad(SiO2)/s), viene chiamato "Enhanced Low Dose Rate Sensitivity " (ELDRS) ed è particolarmente rilevante per i BJT in applicazioni spaziali. Sezione di un BJT p-n-p 37 Radiation induced field oxide leakage current in n-MOSFET 1) In n-MOSFETs with LOCOS isolation, the positive charge build-up in the birds’ beak regions can invert the underlying p-type surface forming an n-type region underneath the filed oxide, i.e. a conductive path can be generated from source to drain, which will greatly increase the leakage current even at VGS=0V. -Similar conductive path are generated for n-MOSFETs with STI isolation: a) a leakage path occurs at the edge of the gate oxide transistor between the source and the drain; b) a leakage path occurs between the n-type source and drain regions of a n-MOSFET and the n-well of adjacent p-MOSFET. 1) b) a) 1998 38 SOI Technology CMOS Standard bulk technology -SOI transistor are built on top of an oxide instead of a silicon substrate. -SOI process technology is similar to standard bulk technology. CMOS Silicon on Insulator Technology (SOI) 20-250 nm 350-400 nm 39 . . . altri effetti . . . Radiation effects: gate oxides in deep submicron CMOS technologies -The scaling down of contemporary CMOS technologies decreases the gate oxide thickness and the threshold voltage variation after irradiation .... .... but also new reliability issues for radiation hardness appears due to defect generation in the SiO2 layer: Radiation Induced Leakage Current (RILC); Radiation Soft Breakdown (RSB); Radiation Hard Breakdown (RHB). 2004 Gate current versus voltage (Ig-Vg) measured before and after irradiation of 3 nm oxide. The curves referring to RILC have been measured after 51010 Si ions/cm2 (E=158 MeV, LET=8.5 MeVcm2/mg). The curve referring to RSB has been measured after 10417 I ions/cm2 (E=277 MeV, LET=61.8 MeVcm2/mg). Single Event Drain Current Collapse (SEDC2) Small Aspect Ratio: W/L=0.3µm/10µm 1.0 2.5 Vds=100mV fresh 2.0 fresh 0.6 Ids [µA] gm [x10-6 -1] 0.8 0.4 0.2 0 0.5 1 Vgs [V] 1.0 0.5 Irradiated 0 Irradiated 1.5 1.5 0 Vgs=1.2V 0 0.5 1 Vds [V] 1.5 L W Transconductance: 50% decrease Saturation Current: 70% decrease 42 2 Single Event Drain Current Collapse (SEDC ) Single Event Transient (SET) in digital electronics When the transient on a data line occurs during the setup ad hold times for a latch, it can produce a SET errors (TNS vol.55, n.4, pp.1903-1925) 43 Positive charge Assisted Leakage Current (PALC) in E2PROM -Failure mechanism in Flash memories irradiated by heavy ions: charge loss from the floating gate by Positive charge Assisted Leakage Current (PALC) Threshold voltage distribution of the E2PROM cells before and after irradiation. Positive charge assisted leakage current mechanism. Le norme dell’Agenzia Spaziale Europea . . . ESA ESCC Basic Specification 22900 Disponibili sul sito WEB: https://escies.org/ReadArticle?docId=229 ESA ESCC Basic Specification 25100 Risorse su WEB: https://escies.org/ 47 L’acceleratore TANDEM Il “Contenitore" dell’acceleratore Tandem The SIRAD irradiation facility Dedicated beam line for bulk damage and Single Event Effects studies in semiconductor devices and electronic systems for high energy physics and space applications. The facility is upgraded with an Ion Electron Emission Microscope (IEEM) for mapping the sensitivity of electronic devices and systems to single ion impacts. SIRAD beamline 49 The SIRAD Irradiation Facility Upgrade Introduzione agli Effetti da Evento Singolo: la curva -LET (ioni) Sezione d’urto al SEU per la SRAM "MSM8512" al variare del valore del LET degli ioni incidenti: -LETth=1.32 MeV·cm/mg, -sat=0.31 cm2; -W=11.4 MeV·cm/mg; -s=0.65. Sezione d’urto al SEU per la SRAM "TDSRAM05" al variare del valore del LET degli ioni incidenti: -LETth=1.2 MeV·cm/mg; -sat=0.06 cm2; -W=3.5 MeV·cm/mg; -s=3.5. J. Barak et al., Use of Light-ion-Induced SEU in Devices Under Reduced Bias to Evaluate their Cross-Section, 51 IEEE Trans. Nucl. Sci., vol.51, n.6, December 2004, pp. 3486-3493. SPENVIS Sito WEB: http://www.spenvis.oma.be/ SPENVIS: i menù SPENVIS: single event upset rates (2) Ions Z>1 with the Weibul curve Protons Z=1 with the Bendel curve /365 1 anno = 365 giorni =31536000 sec /3153600 La Scuola Nazionale di Legnaro http://sirad.pd.infn.it/scuola_legnaro/