Reticolo cristallino Struttura periodica: cella unitaria R L RL=n1a1+n2a2+n3a3 V(r)=V(r+RL) Dispositivi a semiconduttore 1 Cella unitaria: minima unità con tutte le caratteristiche del cristallo che si ripete a riempire lo spazio Cella primitiva: 1 punto reticolo +base Cella primitiva Dispositivi a semiconduttore 2 Reticolo reciproco eiK.R 1 R Reticolo diretto b1 2 b2 2 b 3 2 a a 2 3 a (a a ) 1 2 3 a a 3 1 a (a a ) 2 3 1 a a 1 K m1b1 m2b2 m3b3 2 a (a a ) 3 1 2 Dispositivi a semiconduttore 3 Nomenclatura (l,m,n) piano reticolare : gli indici rappresentano l’intersezione Con le tre direzioni nella base del reticolo reciproco {l,m,n} insieme di piani equivalenti per simmetria [l,m,n] direzione nella base del reticolo diretto <l,m,n> direzioni equivalenti a [l,m,n] per simmetria Dispositivi a semiconduttore 4 Esempi di piani reticolari Dispositivi a semiconduttore 5 Brillouin zone: Reticolo reciproco Wigner-Seitz cell Reticolo diretto BZ: cella di Wigner-Seitz nel reticolo reciproco: cella primitiva nel reticolo reciproco. Dispositivi a semiconduttore 6 Struttura elettronica I II III IV V VI Dispositivi a semiconduttore VII 7 Struttura elettronica 1s22s2p63s2p2 4 elettroni di valenza Legame covalente 14(P+N)&10 E (1s22s2p6) core Dispositivi a semiconduttore 8 Struttura elettronica N celle 2N atomi 8N elettroni 16N stati Dispositivi a semiconduttore Ibridizzazione 9 • Esistono intervalli di energia permessi e proibiti • Le bande completamente piene sono di valenza • Le altre bande sono di conduzione Dispositivi a semiconduttore 10 Con 8 elettroni nella cella unitaria l’ultima BV è completamente piena e la prima BC è completamente vuota Dispositivi a semiconduttore 11 L’ultima banda è mezza piena Wurzite Tabella semiconduttori Sph.= =Spharelite= =Zincoblenda IV-IV III-V II-VI Dispositivi a semiconduttore 12 Teorema di Bloch H (r) (r) E (r) V (r) nuclei fissi elettroni V (r) V (r R) OperatoreT R T R H (r) (r) H (r)T R (r) H (r) (r R) T R (r) c(R) (r) Periodicità potenziale per traslazioni pari ad un vettore reticolo R Dispositivi a semiconduttore 13 Ma: | (r) |2 | (r R) |2 Ana logamente : T RT ' (r) c(R)c(R ') (r) c(R R ') (r) R c(R) e iK R Caso 1D : (x a) (x)e iKa Born VonKarmann : (x Na) (x) e iKNa 1 K 2 m0,1,....,N 1 m Na m0,1,.... N 2 Dispositivi a semiconduttore 14 Funzioni di Bloch (x a) (x)e iKa e iK ( x a ) (x a) e iKx e iKa (x)e iKa e iKx (x) Se : u(x) e iKx (x) Allora : u(x) u(x a) (x) u(x)e iKx Generalizzando : (r) u(r)e ur r iK r Ki 2 mi N ia i i x, y, z Valori K Numero siti N celle grande____ K continuo Dispositivi a semiconduttore 15 Catena 1D : modello a elettroni quasi liberi V( r) Il potenziale cristallino rappresenta una perturbazione: Ee 2 2 2m* Dispositivi a semiconduttore 16 Effetto di un potenziale periodico 2V1cos2x/a 2V 1 Dispositivi a semiconduttore 17 2/a Dispositivi a semiconduttore 18 K K0 G n,k (r) exp(iK.r)un,k (r) n,k (r) exp(iK 0 .r)exp(iG.r)un,k (r) Ma : un,k (r) exp(iG.r)un,k (r) exp(iG(r RL ))un,k (r RL ) segue un,k (r) un,k (r RL ) K è definito a meno di un vettore del reticolo reciproco Dispositivi a semiconduttore 19 K Re ticolo 2 K1i mi N1a1 3D reciproco Densità stati: 2 2 Spacing : K1 N1a1 L1 2 2 K 2 N 2 a2 L2 2 2 K 3 N 3 a3 L3 g(K) 1 (2 ) 3 (2 ) 3 K1K 2K 3 VK V Dispositivi a semiconduttore 20 Dispositivi a semiconduttore 21 Banda simmetrica rispetto a K=0 Dispositivi a semiconduttore 22 Zona di Brillouin (KR)=2n Il vettore d’onda definisce univocamente uno stato solo nella prima zona di Brillouin (FBZ) Dispositivi a semiconduttore 23 a a a a Prima zona di Brillouin a a a E = ħ2 k2 /2m K=2/a E K=-2/a K=2/a -/a /a Dispositivi a semiconduttore k 24 fcc :CENTRO BZ L: CENTRO FACCIA ESAGONALE X: CENTRO FACCIA QUADRATA W: PUNTO SPIGOLO Dispositivi a semiconduttore 25 Prima zona di Brillouin E ħ2 k2 /2m Dispositivi a semiconduttore 26 Si Gap ≈ punto X Dispositivi a semiconduttore 27 Gap L point Ge Dispositivi a semiconduttore 28 Gap point Dispositivi a semiconduttore 29 Struttura a bande delle leghe As GaAs Dispositivi a semiconduttore AlAs 30 AlxGa1-xAs X<0.45 Eg=1.424+1.247x X>0.45 Eg=1.9+0.125x+0.143x2 Dispositivi a semiconduttore 31 Struttura a bande delle leghe Dispositivi a semiconduttore 32 Struttura a bande delle leghe Dispositivi a semiconduttore 33 1)Gap diretta: max VB, min CB @ point 2)Gap indiretta: max CB @ K≠K’ VB ( point) 1)OK EMETTITORI 2) NO EMETTITORI, OK RIVELATORI Dispositivi a semiconduttore 34 Dispositivi a semiconduttore 35 BC in GaAs 1 2 E ( k ) k 2 Dispositivi a semiconduttore 36 BC in Silicio 2 1 2 2 2 2 E (k ) L k x T k y k z 2 a Dispositivi a semiconduttore 37 300K Dispositivi a semiconduttore 38 L’Energia del gap dipende da T Legge fenomenologica di Varshni T E g (T) E g 0 T Ge 2 GaAs Si Eg0(eV0 0.743 7 300K 0.66 (meV/ 0.477 K) (K) 235 1.166 1.12 1.519 1.424 0.473 0.401 636 204 Dispositivi a semiconduttore 39