ATTIVITA' SCIENTIFICA DEL PROF. VINCENZO AUGELLI.
I. Fondamenti della Meccanica Quantistica.
Teoria della misura in meccanica quantistica. [I].
II. Proprietà di trasporto di semiconduttori composti.
Studio delle proprietà elettriche e fotoelettroniche di semiconduttori composti, lamellari e
non. Tale attività ha riguardato, soprattutto, i semiconduttori lamellari delle famiglie III-VI
(seleniuro di gallio, GaSe, solfuro di gallio, GaS, tellururo di gallio, GaTe). Lo studio delle
proprietà elettriche è stato condotto tramite misure di resistività elettrica e mobilità Hall. I
dati sperimentali ottenuti per il GaSe e per il GaS vengono interpretati sulla base della
formulazione teorica di Shklovskii e Pollak-Geballe per la conducibilità di tipo hopping (Intern.
Conf. on Layered Semiconductors and Metals, Riva dei Tessali, 6-10/9/1976) . Misure di
mobilità ed effetto Hall sul GaTe e sul GaSe hanno permesso di stabilire la natura dei
meccanismi di scattering operanti nei materiali; l'anisotropia della mobilità dei portatori è
stata misurata per la prima volta nel GaSe. Misure di effetto PEM e di fotocorrente
permettono di determinare il tempo di vita dei portatori nel GaSe e altri parametri importanti
per la caratterizzazione fotoelettronica del materiale. Viene misurata l'anisotropia della
resistività nel GaSe di tipo p e l'influenza del drogaggio con iodio sulle proprietà elettriche.
Studia l'influenza dei processi di ricombinazione dei portatori sull'andamento spettrale della
corrente di PEM e della fotoconducibilità (Int. Conf. on Layered Materials and Intercalates,
(Nijmegen, 28-31/8/1979) e la dipendenza dal livello di iniezione dei portatori (Yamada Conf.
IV on Physics and Chemistry of Layered Materials, Sendai, Japan, sett.1980). [II]
III.
Fotoeffetti nei semiconduttori.
Studio dell'effetto PEM tenendo conto degli effetti di intrappolamento dei portatori. Studio
della dipendenza della fotoconducibilità e della corrente di PEM dalla intensità luminosa e
dalla lunghezza d'onda nel caso di ricombinazione quadratica tra i portatori. La dipendenza
dalla intensità luminosa dell'effetto PEM, per un qualunque livello d'iniezione, viene studiata
con metodi numerici. Il modello teorico elaborato spiega le deviazioni dalla linearità della
risposta spettrale di celle a concentrazione in funzione della intensità luminosa. La teoria
dell'effetto PEM viene studiata nel caso di ricombinazione tra i portatori per i quali la
concentrazione di lacune risulti proporzionale alla radice quadrata della concentrazione di
elettroni. [III]
IV. Proprietà di trasporto di semiconduttori non cristallini
Studio e caratterizzazione fisica di film di silicio amorfo in vista di applicazioni per la
conversione fotovoltaica. I primi risultati mettono in evidenza la notevole dipendenza delle
proprietà elettriche ed ottiche dei film dalle condizioni di deposizione. Si eseguono misure di
assorbimento ottico, conducibilità elettrica, mobilità Hall, fotoconducibilità
e
fotoluminescenza. Vengono studiate le proprietà ottiche (coefficiente di assorbimento, indice
di rifrazione e gap ottica) in funzione di alcuni parametri di deposizione e lo stesso tipo di
indagine viene effettuata per la conducibilità elettrica e la fotoconducibilità. Misure di
mobilità Hall nei film non drogati permettono di chiarire meglio quali sono i meccanismi di
conduzione all'interno di un materiale amorfo. Vengono successivamente studiate le proprietà
di film drogati sia di tipo p, ottenuti aggiungendo diborano alla miscela, che di tipo n, ottenuti
con l'aggiunta di fosfina. Nel 1983 lavora presso i Laboratori RCA di Zurigo collaborando con
Günter Harbeke e Helmut Kiess. Misura la fotocorrente transiente nel silicio amorfo e in
polimeri coniugati (poliacetilene e polipirrolo). Misure di effetto di campo hanno permesso di
ottenere informazioni sulla distribuzione degli stati nella gap del materiale. La risoluzione
analitica dell'equazione integrale che lega la densità di carica indotta nell'effetto di campo e
la densità di stati nella gap del materiale permette l'interpretazione di misure effettuate su
films di silicio amorfo prodotti con la tecnica 'laser-induced chemical vapor deposition'. La
densità degli stati nella gap del silicio amorfo depositato per glow discharge è stata anche
investigata con misure di corrente limitata da carica spaziale. Il ruolo del cloro nel silicio
amorfo depositato a partire da tetracloruro di silicio, viene analizzato con misure di
efficienza su celle solari a barriera Schottky. Misure di fotoconducibilità ed effetto
fotoelettromagnetico vengono effettuate su campioni di silicio amorfo depositati utilizzando
una miscela di tetrafluoruro di silicio e idrogeno. Su invito dell'editore di 'The Institution of
Electrical Engineers, INSPEC Publ., London', ha contribuito, con la stesura di alcuni paragrafi,
alla pubblicazione del libro 'Properties of amorphous silicon'.
Campioni non omogenei di silicio amorfo sono stati otticamente investigati con misure di
spettri di estinzione effettuati con radiazione di luce di sincrotrone presso i Laboratori
Nazionali di Frascati. Tali spettri permettono di evidenziare effetti di localizzazione ottica
considerando il campione come un sistema con indice di rifrazione fluttuante.
Nell'ambito del Network "Nanoaggregati e fulleriti: produzione e caratterizzazione", studia le
proprietà elettriche di film di fullerene C60. Tramite misure di conducibilità elettrica in
funzione della temperatura sono stati evidenziati fenomeni d'isteresi; si è visto, inoltre, che
l'annealing termico influenza sia la fotoconducibilità che la sua dipendenza dall'intensità
luminosa. Le proprietà elettriche di film di polimeri teflon-like drogati con oro sono state
studiate. La conducibilità elettrica in funzione della temperatura evidenzia interessanti
proprietà e complessi meccanismi di trasporto.
Di notevole interesse è lo studio di film di fosfuro di indio, InP, cresciuti per MOCVD, di GaAs
passivato e di CdS cresciuto con la tecnica di „laser ablation‟. I campioni policristallini di InP e
di CdS sono stati caratterizzati da un punto di vista ottico, elettrico e strutturale.
E' stato studiato il processo di passivazione di GaAs cristallino per migliorare le sue proprietà
elettriche. Un trattamento con plasma di idrogeno e azoto ne diminuisce la densità di difetti
superficiali. I campioni così trattati sono stati caratterizzati sia da un punto di vista ottico
ed elettrico. [IV]
V. Proprietà di trasporto di nanostrutture di materiali II-VI e III-V.
In collaborazione con il Politecnico di Losanna sono state investigate strutture multistrati di
GaAs/GaAlAs realizzate con tecnica MBE. Misure di assorbimento ottico su tali superreticoli
hanno evidenziato effetti eccitonici legati ad eccitoni di punto sella (Int. Conf. on Optics of
Excitons in Confined Systems, Giardini Naxos, Italy, 1991). Sulle stesse strutture vengono
effettuate misure di fotocorrente in funzione della temperatura in regime di bassi campi
applicati. La dipendenza dalla temperatura della energy gap del superreticolo è investigata e il
trasporto dei portatori fotogenerati negli stati estesi delle minibande viene verificato.
Nell'ambito del Network "Nanostrutture di Semiconduttori per l'Optoelettronica" e in
collaborazione con ricercatori del Dipartimento di Scienza dei materiali dell'Università di
Lecce, viene investigato il trasporto in strutture II-VI e III-V .
L'interesse attuale dello studio delle proprietà di eterostrutture a bassa dimensionalità ha
determinato un interesse verso sistemi costituiti da grani di materiale semiconduttore
immersi in una matrice vetrosa. A tale scopo, sono stati investigati film di ZnOCdTe
caratterizzati da un punto di vista ottico, strutturale ed elettrico. [V]
VI. Danneggiamento da radiazione di rivelatori al silicio nella fisica delle alte energie.
Il danno da radiazione dei rivelatori al silicio nella fisica delle alte energie è un problema di
cruciale importanza sia dal punto di vista del degradamento delle proprietà elettriche del
rivelatore, che determina un progressivo deterioramento dello stesso, che dal punto di vista
economico. Nell'ambito di una collaborazione con ricercatori INFN, ci si è posto il problema di
investigare tale problema da un punto di vista delle proprietà elettriche e fotoelettroniche
del materiale usato come rivelatore. Uno dei problemi più importanti è lo studio dei livelli
energetici introdotti nella 'energy gap' del materiale dall'introduzione di difetti indotti da
radiazione (per esempio, neutroni, protoni, pioni). Per individuare la posizione dei livelli
energetici nella gap di un semiconduttore è stata utilizzata la tecnica della DLTS (deep level
transient spectroscopy) (Int. Conf. on Radiation Hardening, Firenze 1998, Hamburg 1998).
[VI]
VII. Proprietà fisiche di biopolimeri.
In collaborazione con ricercatori del Dipartimento di Chimica dell‟Università di Bari e
dell‟Istituto di Chimica dei Composti OrganoMetallici del CNR di Bari, sono stati realizzati
film di melanina su substrato di quarzo e, per la prima volta, su substrato di ITO (indiumtin oxide). I film sono stati caratterizzati sia da un punto di vista strutturale e ottico che
da un punto di vista elettrico e fotoelettronico. [VII]
PUBBLICAZIONI PIU’ IMPORTANTI
di Vincenzo AUGELLI.
I)
V.Augelli, A.Garuccio, F.Selleri
'La mécanique quantique et la realité.
Ann. Fond. L. de Broglie, 1 , 154 (1976).
II)
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, R.Piccolo, L.Vasanelli
'Anomalous impurity conductivity in n-GaSe and n-GaS.'
Il Nuovo Cimento, 38b, 327 (1977)
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli
'Hall effect in GaTe single crystals'
Solid State Comm., 21, 575 (1977)
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, L.Vasanelli
'Hall mobility anisotropy in GaSe.'
Phys. Rev. B, 17, 3221 (1978)
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, R.Piccolo, L.Vasanelli
'Spectral distribution of photomagnetoelectric and photoconductivity currents in n-GaSe
single crystal: theory and experiment'
Phys. Rev. B, 18, 5484 (1978)
V.Augelli, C.Manfredotti, R.Murri, A.Rizzo, L.Vasanelli
'Resistivity anisotropy in p-type GaSe.'
Il Nuovo Cimento, 47B, 101 (1978)
V.Augelli, A.M.Mancini, R.Murri, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli
'Influence of iodine doping on the electrical properties of GaSe.'
Material Chemistry, 4, 429 (1979)
V.Augelli, R.Murri, R.Piccolo, L.Vasanelli
'Photomagnetoelectric effect in n-GaSe single crystals in presence of traps'
Physica B, 99, 303 (1980)
V.Augelli, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli
'Study of the photomagnetoelectric and photoconductivity effects with numerical methods,
for any injection level, in GaSe.'
Physica B, 105, 54 (1981)
III)
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani
'A theory of photomagnetoelectric effect with injection level dependent lifetime.'
Journ. Appl. Phys., 51, 2784 (1980)
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani
'Non linear theory of photomagnetoelectric effect with a quadratic relation between carrier
densities: light intensity dependence.'
Phys. Rev. B, 23, 4837 (1981)
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani
'Non linear theory of the photomagnetoelectric effect with a quadratic relation between
carrier densities: spectral distribution.'
Phys. Rev. B, 23, 4844 (1981)
V.Augelli, R.Piccolo, A.Rizzo, L.Vasanelli
'A numerical approach to the study of the photomagnetoelectric effect for any injection
level.'
Journ. Appl. Phys. 53, 1554 (1982)
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani
'Non linear behaviour of the short-circuit current of a solar cell with minority carrier
lifetime dependent on the light intensity.'
Journ. Appl. Phys. 53, 1558 (1982)
V.Augelli, L.Vasanelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani
'Non linear theory of the photomagnetoelectric effect with a square-root relationship
between carrier densities.'
Phys. Status. Sol. (b), 130, 767 (1985)
IV)
V.Augelli, R.Murri, S.Galassini, A.Tepore
'Physical characterization of halogenated and hydrogenated amorphous silicon films'
Thin Solid films, 69, 315 (1980)
G.Fortunato, F.Evangelisti, G.Bruno, P.Capezzuto, F.Cramarossa,
V.Augelli, R.Murri
'Characterization and luminescence of a-Si:H,Cl films.'
Journ. Non-Cryst. Solids, 46, 95 (1981)
V.Augelli, R.Murri, L.Schiavulli, G.Bruno, P.Capezzuto, F.Cramarossa,
F.Evangelisti, G.Fortunato
'Optical constants of silicon films deposited by r.f. glow discharge of SiCl4.'
Thin Solid Films 86, 359 (1981)
V.Augelli, R.Murri, L.Schiavulli
'Optical and electrical properties of glow discharge silicon films.'
Thin Solid Films, 90, 153 (1982)
V.Augelli, R.Murri, N.Alba
'Photoconductivity in amorphous Si:H,Cl films.'
Journ. Appl. Phys. 54, 248 (1983)
V.Augelli, R.Murri
'Dark conductivity in amorphous undoped silicon films.'
Journ. Non-Cryst. Solids, 57, 225 (1983)
V.Augelli, R.Murri
'Transport properties of halogenated amorphous silicon.'
Material Chemistry and Physics, 9, 301 (1983)
V.Augelli, R.Murri, T.Ligonzo
'Hall mobility of undoped microcrystalline Si:H,Cl films.'
Appl. Phys. Lett., 43, 266 (1983)
V.Augelli, R.Murri, N.Alba, T.Ligonzo
'Hall mobility in doped and undoped amorphous Si:H,Cl films.'
Journ. Non-Cryst. Solids, 59-60, 481 (1983)
G.Bruno, P.Capezzuto, F.Cramarossa, V.Barbarossa, V.Augelli, R.Murri
'Doping of microcrystalline Si:H,Cl films in r.f. glow discharge.'
Journ. Non-Cryst. Solids, 59-60, 815 (1983)
V.Augelli, R.Murri, T.Ligonzo
' Hall mobility in doped Si:H,Cl films.'
Thin Solid Films, 116, 311 (1984)
V.Augelli, T.Ligonzo, R.Murri, L.Schiavulli
'Effects of the dopants on the electrical conductivity and Hall mobility in Si:H,Cl films.'
Thin Solid Films, 125, 9 (1985)
V.Augelli, H.Kiess, R.Murri
'On the influence of the deposition conditions on the carrier lifetime in hydrogenated and
chlorinated silicon films.'
Journ. Non-Cryst. Solids, 77-78, 675 (1985)
H.Kiess, V.Augelli, R.Murri
'Carrier lifetime from transient photoconductivity measurements on microcrystalline silicon
films.'
Thin Solid Films, 141, 193 (1986)
V.Augelli, G.Dilecce, R.Murri, L.Schiavulli
'Field effects measurements in hydrogenated and chlorinated amorphous silicon films.'
Journ. Non-Cryst. Solids, 77-78, 303 (1985)
V.Augelli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani
'Analytical determination of the density of state distribution in amorphous semiconductors.'
Phys. Rev. B, 33, 7392 (1986)
V.Augelli, R.Murri, L.Schiavulli
'The density of states in the mobility gap of amorphous silicon films computed by a new
analytical method.'
Il Nuovo Cimento, 10D, 237 (1988)
V.Augelli, T.Ligonzo, R.Murri, L.Schiavulli
'Photoconductivity in doped microcrystalline Si:H,Cl films.'
Journ. Appl. Phys., 59, 2863 (1986)
V.Augelli, V.Berardi, R.Murri, L.Schiavulli
'Evaluation of density of states distribution in amorphous silicon films by photoconductivity
measurements.'
Journ. Non-Cryst. Solids, 90, 123 (1987)
V.Augelli, V.Berardi, R.Murri, L.Schiavulli, M.Leo, R.A.Leo, G.Soliani
'Analytical determination of the density of gap states distribution in amorphous
semiconductors: experimental results.'
Phys. Rev. B, 35, 614 (1987)
V.Augelli, V.Berardi, R.Murri, L.Schiavulli
'Photoconductivity measurements as a tool for the evaluation of the density of states in
amorphous silicon.'
Physica Scripta, 38, 188 (1988)
V.Augelli, R.Murri and L.Schiavulli
'The density of states in the mobility gap of halogenated amorphous silicon'
Il Nuovo Cimento, 11D, 827 (1989).
T.Ligonzo, R.Murri, V.Augelli, L.Schiavulli
'Density of states in a-Si:H,Cl determined by Space-Charge-Limited Currents.'
Thin Solid Films, 158, 217 (1988)
V.Augelli, T.Ligonzo, R.Murri, L.Schiavulli
'Photovoltaic characterization of a-Si:H,Cl films.'
Thin Solid Films, 170, 163 (1989)
V.Augelli, R.Murri, M.Nowak
'Interference photoconductivity and photoelectromagnetic effect in amorphous silicon.'
Phys. Rev. B, 39, 8336 (1989)
V. Augelli and M. Nowak,
'Distribution of radiation intensity in a thin semiconductor film on a thick substrate.'
Thin Solid Films, 338 (1999) 188-196.
G.F.Lorusso, V.Capozzi, V.Augelli, A.Minafra, G.Maggipinto, T.Ligonzo, C.Flesia, G.Bruno
and P.Capezzuto
'Interference effets in UV-extintion spectra of inhomogeneous amorphous silicon'
Phys. Rev.B, 48, 12292 (1993)
V.Augelli, G.Casamassima, T.Ligonzo, D.Loiacono, L.Schiavulli, A.Valentini
'Electrical properties of C60 thin films: preliminary results'
Materials Science Forum, 203, 303 (1996)
V.Augelli, T.Ligonzo, L.Schiavulli and A.Valentini
'Dark and photo-conductivity measurements on fullerene C60 thin films'
Il Nuovo Cimento D, 20 (1998) 1377-1390.
V. Augelli, T.Ligonzo, M.C.Masellis, M.F.Muscarella, L.Schiavulli, A.Valentini
"Electrical properties of gold-polymer composite films."
Journ. of Appl. Phys., 90 (2001) 1362-1367
G.Perna, V.Capozzi, V.Augelli, T.Ligonzo, L.Schiavulli, G.Bruno, M.Losurdo,
P.Capezzuto, J.L.Staehli and M.Pallara
"Luminescence study of the disorder in polycrystalline InP thin films."
Semiconductor Science and Technology, 16 (2001) 377-385
G. Perna , V. Capozzi , M. Ambrico, V. Augelli , T. Ligonzo, A. Minafra, L. Schiavulli, M.
Pallara
“Structural and optical characterization of indium doped CdS films deposited by laser ablation
technique”
Thin Solid Films, 453-454 (2004) 187-194
G. Perna , V. Capozzi , M. Ambrico, V. Augelli , T. Ligonzo, A. Minafra, L. Schiavulli, M.
Pallara
“ Structural and optical characterization of Zn doped CdSe films”
Appl. Surface Science, 233 (2004) 366-372
V. Augelli, T. Ligonzo, A. Minafra, L. Schiavulli , V. Capozzi , G. Perna, M.
Ambrico and M. Losurdo
“Optical and electrical characterization of n-GaAs surfaces passivated by N2-H2
plasma”
Journ. of Luminescence, 102-103 (2003) 519-524
Erlacher, M.Ambrico, V.Capozzi, V.Augelli, H.Jaeger and B. Ullrich
“X-ray, absorption and photocurrent properties of thin film GaAs on glass formed by pulsedlaser deposition”
Semicond. Sci. and Technol., 19 (2004) 1322-1324
M. Ambrico, M.Losurdo, P.Capezzuto,, G.Bruno, T. Ligonzo, L.Schiavulli, I. Farella and
V.Augelli
“A study of remote plasma nitrided n-GaAs/Au Schottky barrier”
Solid-State Electronics, 49/3 (2005) 413-419
V)
V.Capozzi, J.L.Staehli, C.Flesia, D.Martin, V.Augelli and G.F.Lorusso
'Excitonic effects in the absorption spectra of GaAs/AlGaAs superlattices'
Inst. Phys. Conf. Ser. No 123, 1991, p.195
T.Ligonzo, V.Augelli, A.Minafra, V.Capozzi, D.Martin, P.Favia, G.F.Lorusso
'Photocurrent spectroscopy in n-i-n GaAs/Al0.3Ga0.7As short period superlattice'
Solid State Comm. 94, 429 (1995)
P.V. Giugno, M. De Vittorio, D.Greco, R.Rinaldi, R.Cingolani, M.Lomascolo, M.Di Dio,
A.Passaseo, V.Augelli , T.Ligonzo, L.Schiavulli.
'Quantum-well optoelectronic modulators in high magnetic field: a technological issue for
the operation in particle accelerators'
Nucl. Instr. Meth., A390 (1997) 237-240.
M. DeVittorio, G.Colì, R.Rinaldi, G.Gigli, R.Cingolani, D.De Salvador, M.Berti, A.Drigo,
F.Fucilli, T.Ligonzo, V.Augelli, A.Rizzi, R.Lantier, D.Freundt, H.Luth, B.Neubauer,
'Photocurrent spectroscopy of GaN and AlGaN epilayers grown on 6H (0001) Silicon
Carbide',
Sol. State Electronics, 44 (2000) 465-470
V.Augelli, T.Ligonzo, A.Pizzichetti, F.Quaranta, L.Schiavulli, A.Valentini
'Optical and electrical properties of ZnOCdTe thin films'
Materials Science Forum, 203, 267 (1996)
VI)
V.Augelli, G.Contento, T.Ligonzo, M.F.Muscarella, L.Schiavulli, M.Angarano,
D.Creanza, M.de Palma
'Electrical characterization of standard and oxygenated irradiated ROSE diodes'
NIM A, 426 (1999) 81-86.
The RD48 Collaboration (G.Lindström et al.)
Radiation Hard Silicon Detectors- Developments by the RD48 (ROSE) Collaboration
Nucl. Instr. & Meth. in Phys.Res. A, 466 (2001) 308-326
The RD48 Collaboration (G.Lindström et al.)
Developments for Radiation Hard Silicon Detectors by Defect Engineering- Results
by the CERN RD48 (ROSE) Collaboration.
Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A, 465 (2001) 60-69.
VII)
V. Capozzi, G. Perna, P.Carmone, A.Gallone, M.Lastella, E. Mezzenga, G.Quartucci,
M.Ambrico, V.Augelli, P.F.Biagi, T.Ligonzo, A.Minafra, L.Schiavulli, M.Pallara, R.Cicero
“Optical and photoelectronic properties of melanin”
Thin Solid Films, 511-512 (2006) 362-366
T. Ligonzo, M. Ambrico, V. Augelli, G. Perna, L. Schiavulli, M.A. Tamma, P.F.
Biagi, A. Minafra and V. Capozzi
“Electrical and optical properties of natural and synthetic melanin biopolymer.”
J. Non Cryst. Solids, 355 (2009) 1221-1226
M. Ambrico, A. Cardone, T. Ligonzo, V. Augelli, P. F. Ambrico, S. Cicco, G. M.
Farinola, M. Filannino, G. Perna, V. Capozzi
“Hysteresis-type current-voltage characteristics in Au/eumelanin/ITO/glass
structure: Towards melanin based memory devices.”
Organic Electronics, 11 (2010) 1809-1814
Libri
L1) V. Augelli e B. Ghidini
'Problemi di Fisica I.',
Adriatica Editrice, Bari 1987
L2) V. Augelli e B. Ghidini
„Prove scritte di Fisica I‟ – Meccanica
EdiSes, Napoli 2000
L3) V. Augelli e B. Ghidini
„Prove scritte di Fisica I‟ – Termodinamica
EdiSes, Napoli 2000
L4) V. Augelli e V. Angiuli
Proc. Int. Conf. on “Measure and the Infinite. Science Faith Experience”
Laterza, Bari 2003
L5) V. Augelli e V. Angiuli
Proc. Int. Conf. on “Tempo della natura, tempo dell‟uomo, tempo di Dio”
Arti Grafiche Favia, Bari 2006
Scritti su Scienza e Fede
a. Proc. Int. Conf. on “Measure and the Infinite. Science Faith Experience”, 2002,
Introduzione, pagg. 9-11
b. L‟Odegitria, Bollettino Diocesano, Anno LXXVIII, n. 3, pagg. 389-391,
c. Proc. Int. Conf. on “Tempo della natura, tempo dell‟uomo, tempo di Dio”, 2005,
Introduzione, pagg. 8-11
d. Oasi San Martino, Anno XX, Marzo 2007, pagg.17-18