UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO
INFLUENZA DELLE VARIAZIONI
TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI
MOSFET DI POTENZA IN AMBIENTE SPAZIALE
(A9)
G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi
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OUTLINE

Introduzione

Gli effetti da singolo evento nei MOSFET:
il SEB ed il SEGR

Il Set-Up sperimentale

I risultati sperimentali
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INTRODUZIONE
Altitude
Flux
Factor
>10Mev flux (cm-2h-1)
Sea level
1
20
1500 m
(Denver)
3-4
70
3000 m
(Leadville)
10-15
250
12000 m
200-300
4000-6000
J.F. Ziegler – Terrestrial cosmic rays – IBM J. RES. DEVELOP. VOL. 40 NO. 1 JANUARY 1996
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SINGLE EVENT BURNOUT (SEB)
In un power MOSFET l’occorrenza di un SEB distruttivo è legata
all’attivazione del transistore bipolare parassita nascosto nella struttura
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SINGLE EVENT GATE RUPTURE (SEGR)
Electric Field
In un power MOSFET l’occorrenza di un SEGR è legata alla contemporanea
presenza di un elevato campo elettrico nell’ossido di gate e
di un’elevata concentrazione di lacune nella struttura
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IL SET-UP SPERIMENTALE
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NUOVE GENERAZIONI DI MOSFET DA 200V
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I RISULTATI SPERIMENTALI
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GRAZIE PER L’ATTENZIONE
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