UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA FACOLTÀ DI INGEGNERIA CORSO DI LAUREA IN INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE TELECOMUNICAZIONI Analisi comparativa delle prestazioni dei principali simulatori Fast-SPICE Candidato: Relatore universitario: Vitaliano Curto Prof.ssa Ing. Carla Vacchi Relatori aziendali: Ing. Angelo Contini Dott. Ing. Fabrizio Sacchi Anno Accademico 2005-2006 I tools Fast-SPICE utilizzati Scopo dell’elaborato Canale R/W di un hard disk in CMOS090 Visualizzatore di forme d’onda Simulatore Output .cou, .wdb, .out Input .cir D 1 A Curto Vitaliano Sommario Argomenti trattati nell’elaborato I simulatori SPICE, Fast-SPICE e le top-level simulation I tools Fast-SPICE utilizzati Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools Risultati e conclusioni 2 Curto Vitaliano I simulatori SPICE, Fast-SPICE e le top-level simulation Realizzazione di un sistema in un’unica struttura integrata Vantaggi Riduzione delle dimensioni dell’intero sistema Velocità Riduzione degli elementi parassiti Potenza dissipata Aumento dell’affidabilità Protezione della riservatezza del progetto Progettazione gerarchica 3 Curto Vitaliano I simulatori SPICE, Fast-SPICE e le top-level simulation Progettazione gerarchica Approccio meet-in-the-middle Riuso Dettaglio e controllo Top-Down Bottom-Up 4 Curto Vitaliano I simulatori SPICE, Fast-SPICE e le top-level simulation Le simulazioni a diversi livelli di astrazione In ciascun dominio di rappresentazione (comportamentale, strutturale e fisico) il sistema circuitale può essere descritto con differenti gradi di dettaglio chiamati livelli di astrazione Verifica in sistemi mixed-signal con una simulazione top-level 5 Curto Vitaliano I simulatori SPICE, Fast-SPICE e le top-level simulation I simulatori Fast-SPICE Signal Netlist Fast Traditional FastSPICE Netlist Analyses Simulators SPICE SPICE Signal Analyses ADMSpartizionano il circuito a diversiVelocità I tools Fast-SPICE livelli di(Top-Down) astrazione e lo simulano con Advanced algoritmi basati sul tempo o su eventi, ovvero si simula a livello più basso solo le parti di Design Mixed sistema che risultano più critiche (notoriamente laPrecisione sezione analogica), mentre il resto a (Bottom-Up) Signal livello più alto 6 Curto Vitaliano I tools Fast-SPICE utilizzati HSIM® 7 Curto Vitaliano I tools Fast-SPICE utilizzati Nanosim® Hierarchical Reduction Algoritm • Partizionamento intelligente (divide et impera) • Simulazioni nel tempo e sugli eventi (quando c’è un evento in ingresso, si valuta l’uscita) 8 Curto Vitaliano I tools Fast-SPICE utilizzati Eldo-Mach® • Calibrazione automatica o manuale (tramite il comando machcal) della tecnologia dei modelli, che genera un elenco dei dispositivi che verrà usato nella simulazione • One-Step-Relaxation 9 Curto Vitaliano I tools Fast-SPICE utilizzati ABCD* *Ancora in fase di beta-testing presso STMicroelectronics e rinominato con un nome virtuale, per ragioni di riservatezza 10 Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools Descrizione del progetto Technology node 90nm Core Voltage 1.0V/1.2V I/O Voltage 2.5V/3.3V Gate Oxide (Core) 1.6nm/2.2nm Gate Oxide (I/O, analog) 5.0nm/6.5nm Physical Gate 65nm Interconnect Cu ILD k=3 Number of Metal layers Metal pitch 6 to 9 0.28 Gate density (k/mm) 11 430 (hi density) 350 (hi speed) Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools • BIAS: fornisce le correnti per l’Analog Front End • TEST: seleziona i test point della parte analogica del canale • DTA: è un PLL che interrompe l’ADC durante la lettura di un settore dati e serializza i dati stessi, in fase di scrittura • TA: filtro passa-alto del canale di lettura 12 Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools Caratteristiche tecniche dell’Analog Front-End Tecnologia CMOS090GP con MOS GO1 ad ossido sottile di tipo HVT e SVT (high threshold e standard threshold) per parti digitali dei sintetizzatori di frequenza, ADC ed interfacce. Il resto del front-end utilizza MOS GO2 ad ossido spesso (50Å) Power supply analogica fornita da regolatore esterno (2.5V+/-10%) Power supply digitale fornita da regolatore esterno (1.0+/-10% per data rate fino a 1.5GS/s, 1.2V +10/-5% per data rate fino a 1.7GS/s) Temperature di funzionamento 0°C/125°C 13 Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools Procedura seguita nell’effettuare le simulazioni File di test messi aper disposizione Grandezze di test i tools • Simulazioni eseguite nel tempodaallo startup • Tempo di startup= 3.2 ms alcuni milioni di cicli del segnale di clock I(vv10AA) netlist I(vv10_dig), I(vv10b), V(v10_dig) I(vv10AD) top_rtfe_dt_backward_euler_2.cir: file d’ingresso per ciascuno dei V(v25a), simulatori V(v25b), fast-SPICE V(v25c), opportunamente I(vv25a), I(vv25b), modificatoI(vv25c) di volta in volta che V(vwrd), sarà acquisito I(vvwrd) dagli stessi V(v25c_ckr_p) V(vdac_awk), typical.inc: file V(vga_awk), delle librerie V(wrd_drv_awk) extraction_power_up_1.inc parameter_power_up_1.inc stimuli_power_up_1.inc, outputs_power_up_meno_nodi.inc extraction_power_up_1.inc soa_power_up.inc file di attivazione del test 14 Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools Nanosim® Operazioni eseguite Aggiunta di linee di comando per il controllare e bilanciare precisione e velocità del simulatore: set_acc_limit=100n set_pwl_limit=200n Scelta del livello di accuratezza gobale e dei sottoblocchi in esame (vga, adc, test, dta_synth, lpf, bias e ta) 15 Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools HSIM® Operazioni eseguite Aggiunta di linee di comando in .cir .param HSIMOUTPUT=out .param hsimalloweddv=0.1 .param hsimvdd=2.5 .param hsimanalog=1 hsimtaumax=200n .param hsimspeed=3 .param hsimrmin=0.09 .hsimparam subckt=rtfe_dt_analog_10_ta_schematic hsimanalog=1.5 hsimspeed=5 .hsimparam subckt=rtfe_dt_analog_10_vga_schematic hsimanalog=1.5 hsimspeed=5 .hsimparam subckt=rtfe_dt_analog_10_adc_schematic hsimanalog=1.5 hsimspeed=5 .hsimparam subckt=rtfe_dt_analog_10_test_schematic hsimanalog=1.5 hsimspeed=5 .hsimparam subckt=rtfe_dt_analog_10_lpf_schematic hsimanalog=1.5 hsimspeed=5 .hsimparam subckt=rtfe_dt_analog_10_bias_schematic hsimanalog=1.5 hsimspeed=5 .hsimparam subckt=rtfe_dt_analog_10_dta_synth_schematich hsimanalog=1.5 hsimspeed=5 16 Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools Eldo-Mach® Operazioni eseguite Aggiunta di linee di comando in .cir .option mach_be .option mach_FloatingBulkAnalog .partaanalogssubckt=(rtfe_dt_analog_10_vga_schematic,rtfe_dt_analog_10_adc_schematic,rtfe_dt_analog_ 10_test_schematic) .partaanalogssubckt=(rtfe_dt_analog_10_dta_synth_schematic,rtfe_dt_analog_10_bias_schematic) .partaanalogssubckt=(rtfe_dt_analog_10_lpf_schematic,rtfe_dt_analog_10_ta_schematic) 17 Curto Vitaliano Descrizione del test-case e delle esecuzioni dei tools ABCD* Operazioni eseguite Aggiunta di linee di comando .OPTION ABCD .OPTION ABCD .OPTION ABCD .OPTION ABCD .OPTION ABCD .OPTION ABCD xtopanalog.xta0 ENGINE=3 xtopanalog.xadc0 ENGINE=3 xtopanalog.lpf2 ENGINE=3 xtopanalog.mra0 ENGINE=3 xtopanalog.vga0 ENGINE=3 xtopanalog.xbias1 ENGINE=3 .option v_supply=2.6 .option bus_size=1000 *Ancora in fase di beta-testing presso STMicroelectronics 18 Curto Vitaliano Risultati e conclusioni Benchmarking ed errore Tool Fast-SPICE Durata della simulazione Memoria utilizzata Errore** HSIM 11.6 ore 1581 Mb 1.618 % Nanosim 13.4 ore 1620 Mb 0.136 % Eldo-Mach circa 65 giorni ? ? ABCD* 15.6 ore 1170 Mb 0.087 % *Ancora in fase di beta-testing presso STMicroelectronics **Valutato in più fasi di simulazione su alcuni valori di corrente (sulle tensioni l’errore è nullo) 19 Curto Vitaliano Risultati e conclusioni Conclusioni • Conoscenza della realtà aziendale • Acquisizione di software dedicati • Presa visione del canale R/W dell’Hard Disk Drive • Studio ed analisi approfondita dei tools con opportuno inserimento di opzioni • Ulteriore sguardo a ciò che sarà la prossima generazione di Fast-SPICE 20 Curto Vitaliano Grazie della cortese attenzione