RIEPILOGO
Transistor come interruttore
SUMMARY
Transistor as a switch
Tempi caratteristici
» Le case costruttrici usano indicare nei manuali, relativamente
ai dispositivi dedicati a impieghi di commutazione, i tempi
td (di ritardo), tr (di salita), ts (di immagazzinamento),
tf (di discesa), tON (di accensione), tOFF (di spegnimento),
misurati in diverse condizioni di lavoro.
» The producers use indicate in the manuals, with regard to
dedicated devices for heavy switching times, the times
td (delay time), tr (rise time), ts (storage time), tf (fall time),
tON (switch-on time), tOFF (switch-off time), measured in
different working conditions.
Saturazione
» Quando un BJT è in saturazione, entrambe
le giunzioni sono polarizzate direttamente.
Quando è in interdizione, entrambe le
giunzioni sono polarizzate inversamente.
» When a BJT is in saturation, both junctions
are polarized directly. When it is in
interdiction, both junctions are inversely
polarized.
Entità della saturazione
» L’entità della saturazione del transistor è definita
dal parametro σ (sigma), che vale:
ICsat
hFE

IBsat
» The amount of saturation of the transistor is
defined by parameter σ (sigma), is worth:
ICsat
hFE

IBsat
Saturare un BJT
» Per saturare un BJT, collegato a emettitore
comune, occorre inviargli una corrente di base di un
valore tale che risulti valida la relazione:
IB
IC
hFEmin
» To saturate a BJT, connected in a common emitter,
it should send a base current of a value such that it
is valid the relation:
IB
IC
hFEmin
Tempo di salita
» Un elevato livello di saturazione produce una
diminuzione del tempo di salita della
corrente IC, ma un aumento del tempo ts.
» A high level of saturation produces a
decrease of the rise time of the current IC,
but an increase in the time ts.
Interdizione
» Un elevato livello di interdizione del
transistor produce una riduzione del tempo
tf ma un aumento di td.
» A high level of interdiction of the transistor
produces a reduction of the time tf but an
increase of td.
Tempo di salita
» Il tempo di salita tr è quello necessario per
innalzare la concentrazione delle cariche
nella base da un valore del 10% a uno del
90% di quello finale di IC.
» The rise time tr is the time required to raise
the concentration of the charges in the base
by a value of 10% to one of 90% of the final
IC.
Ritardo di propagazione
» tpLH è il tempo di ritardo di propagazione da
basso ad alto; indica il ritardo con il quale l’uscita va
dal livello basso a quello alto rispetto al comando
d’ingresso.
» tpLH is the propagation delay time from low
to high; indicates the delay with which the
output goes from low to high level compared
to the input command.
Ritardo di propagazione
» tpHL è il tempo di ritardo di propagazione da basso
ad alto; indica il ritardo con il quale l’uscita va dal
livello alto a quello basso rispetto al comando
d’ingresso.
» tpHL is the propagation delay time from low to
high; indicates the delay with which the output
goes from high to low level compared to the input
command.
Tempo di ritardo di propagazione
» tpd è il tempo di ritardo di propagazione; è
ottenuto dalla media aritmetica dei due precedenti,
che generalmente sono diversi:
tpHL  tpLH
tpd 
2
» tpd is the propagation delay time; it is obtained
from the arithmetic mean of the two previous ones,
which are generally different:
tpHL  tpLH
tpd 
2
Tempi di salita e discesa
» Se più dispositivi sono posti in cascata i loro tempi di
salita e discesa si compongono mediante le seguenti
relazioni, che forniscono una discreta approssimazione:
2
r
t 
n
t
i 1
2
ri
2
f
t 
n
2
t
 fi
i 1
» If multiple devices are placed in cascade, their rise and
fall times are composed by the following relationships,
which provide a discrete approximation:
2
r
t 
n
t

i 1
2
ri
2
f
t 
n
tf2i

i 1
Tempo di salita
» Per un dispositivo che ha una banda di
frequenza B, il suo tempo di salita è:
tr  0,35
B
» For a device that has a frequency band B, its
rise time is:
tr  0,35
B