Tempo di ritardo © Circuiti Integrati Digitali L’invertitore Invertitore CMOS Risposta dinamica V DD V DD Rp V out V out CL CL Rn V in = 0 (a) Basso Alto © Circuiti Integrati Digitali V in = V DD (b) Alto Basso L’invertitore Tempo di ritardo, salita e discesa © Circuiti Integrati Digitali L’invertitore Circuito RC del primo ordine R vin vout C tp = ln (2) t = 0.69 RC Modello dinamico per il calcolo del tempo di ritardo dell’invertitore © Circuiti Integrati Digitali L’invertitore Invertitore CMOS Risposta dinamica V DD V DD tpHL = f(R on.CL) Rp = 0.69 RonCL V out V out CL CL Rn V in = 0 (a) Basso Alto © Circuiti Integrati Digitali V in = V DD (b) Alto Basso L’invertitore Ritardo dell’invertitore • Lunghezza minima, L=0.25mm • Assumiamo WP = 2WN =2W • stessa corrente di pull-down e pull-up • resistenze equivalenti RN = RP • tempi di ritardo tpLH e tpHL uguali • Modello RC del primo ordine WP RP Runit Wunit Ritardo: 1 WN Runit Wunit tpHL = (ln 2) RNCL © Circuiti Integrati Digitali 2W W 1 RN RW tpLH = (ln 2) RPCL L’invertitore Invertitore con carico CP = 2Cgunit 2W W Ritardo 2W Cint CL W CN = Cgunit Carico W W CL 3 C g unit Cint CdN CdP 3 Cd unit Wunit Wunit CL t p 0,69 RW Cint CL 0,69 RW Cint 1 Cint © Circuiti Integrati Digitali L’invertitore Risposta dinamica 3 2.5 ? Vout(V) 2 tp = 0.69 CL (Reqn+Reqp)/2 1.5 1 tpHL tpLH 0.5 0 -0.5 0 0.5 1 1.5 t (sec) © Circuiti Integrati Digitali 2 2.5 -10 x 10 L’invertitore Layout della cascata di due invertitori VDD PMOS 1.2mm =2l In Out Metal1 Polysilicon NMOS GND © Circuiti Integrati Digitali L’invertitore Ottimizzare le prestazioni Mantenere basse le capacità parassite Aumentare la larghezza dei transistor Attenzione che aumentano anche le capacità di carico! Aumentare © Circuiti Integrati Digitali VDD (????) L’invertitore Tempo di ritardo in funzione di VDD 5.5 5 tp(normalized) 4.5 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.8 1 1.2 1.4 1.6 V 1.8 2 2.2 2.4 (V) DD © Circuiti Integrati Digitali L’invertitore Dimensionamento dei transistor -11 3.8 x 10 (per un carico fissato) 3.6 3.4 tp(sec) 3.2 3 2.8 Le capacità intrinseche sono dominanti: Effetto di “autocaricamento” 2.6 2.4 2.2 2 2 4 © Circuiti Integrati Digitali 6 8 S 10 12 14 L’invertitore Rapporto NMOS/PMOS -11 5 x 10 tpHL tpLH tp(sec) 4.5 b = Wp/Wn tp 4 3.5 3 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 b © Circuiti Integrati Digitali L’invertitore Tempi di salita e di discesa 0.35 tpHL(nsec) 0.3 0.25 0.2 0.15 © Circuiti Integrati Digitali 0 0.2 0.4 0.6 trise (nsec) 0.8 1 L’invertitore