Un convertitore singolo-differenziale
a larga banda ed elevato CMRR
Francesco Centurelli, Piero Marietti, Giuseppe
Scotti, Pasquale Tommasino, Alessandro Trifiletti
Dipartimento di Ingegneria Elettronica
Università di Roma “La Sapienza”
Via Eudossiana 18 – 00184 Roma ITALY
Riunione Annuale GE 2006
Ischia, 21-23 giugno 2006
Topologia del convertitore S2D
• 6 dB extra gain
• simmetria
• controllo degli
offset
• aumento del CMRR
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Analisi del circuito
YLA
YLB
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YLB
YLA
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Progetto del circuito


pin   r R S  C  C 1  ADD 
1
A MAIN
A V  A DD A X
R in
R in  R S
RC
2*10dB 20  1
AF 
1  10dB 20
Poli di AX vs. AFEED
poli A X  pin
A FEED
2
 2A 1  A





4
4
3
DD

 A MAIN 

 

A3  4
A3  4  A3  4 



A3  g m3R LF
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R LF
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Misure
Tecnologia ST BiCMOS7
proposed
SiGe HBT (fT > 65 GHz)
Av = 22.7 dB
standard
BW = 7.2 GHz
Extra gain: 5 dB
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